新能源汽車的成本構(gòu)成中,，除了動力電池外,，電控系統(tǒng)以 15~20%的成本占比位列第二,。在電控系統(tǒng)成本中，IGBT 成本占比高達(dá) 40%,，是電控系統(tǒng)中最重要的構(gòu)成器件,，主要作用是進(jìn)行交流電和直流電的轉(zhuǎn)換、電壓高低的轉(zhuǎn)換,。

　　功能上,，IGBT 主要應(yīng)用于電池管理系統(tǒng)、電動控制系統(tǒng),、空調(diào)控制系統(tǒng)和充電系統(tǒng),。對于混合動力汽車，與低壓系統(tǒng)相獨(dú)立的高壓系統(tǒng)也需要用到 IGBT,。在新能源汽車領(lǐng)域,，IGBT 作為電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件，直接影響電動車功率的釋放速度,、汽車加速能力和最高時速等,，重要性不言而喻。

　　由于 IGBT 具有更好的耐高壓特性,，當(dāng)前在 650V 以上應(yīng)用場景被廣泛使用,。相比硅基 MOSFET，IGBT 優(yōu)點(diǎn)是導(dǎo)通壓降小,，耐高壓,，傳輸功率可以達(dá)到 5000W。IGBT 下游應(yīng)用主要依據(jù)工作電壓高低劃分,，車規(guī)級 IGBT 電壓多位于 650~1200V 區(qū)間場景,。

　　本篇文章就來對本土車規(guī)級 IGBT 的發(fā)展現(xiàn)狀,、行業(yè)格局與未來趨勢進(jìn)行分析,，在現(xiàn)狀中認(rèn)清差距，在趨勢中窺見轉(zhuǎn)機(jī),。

　　本土產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

　　近兩年,，隨著新能源汽車的快速發(fā)展，IGBT 也迎來了爆發(fā),。據(jù)集邦咨詢《2019 中國 IGBT 產(chǎn)業(yè)發(fā)展及市場報告》顯示,，2018 年中國 IGBT 市場規(guī)模約為 153 億元，同比增長 19.91%,。受益于新能源汽車和工業(yè)領(lǐng)域的需求大幅增加,，中國 IGBT 市場規(guī)模將持續(xù)增長，到 2025 年，中國 IGBT 市場規(guī)模將達(dá)到 522 億元,，年復(fù)合增長率近 20%,。

　　我國是車規(guī)級 IGBT 的主要市場之一，約占全球市場份額超過 30%,，但中高端 IGBT 主流器件市場基本被歐美,、日本企業(yè)壟斷，比如英飛凌,、富士電機(jī),、三菱等外資企業(yè)，我國 IGBT 產(chǎn)品對外依賴度近 95%,，呈現(xiàn)寡頭壟斷的競爭格局,。

　　國內(nèi)研發(fā)車規(guī)級 IGBT 的企業(yè)較少，或與其研發(fā),、生產(chǎn)的高難度有關(guān),。

　　比亞迪的孤單

　　在比亞迪入局 IGBT 之前，國內(nèi)自主研發(fā)的 IGBT 幾乎一片空白,，基本被外資企業(yè)壟斷,。

　　圖源 | mydrives.com

　　比亞迪微電子公司（比亞迪半導(dǎo)體公司前身）成立于 2004 年，初期主要承擔(dān)著比亞迪集團(tuán)集成電路及功率器件的開發(fā),、整合,、晶圓等生產(chǎn)任務(wù)，主要經(jīng)營功率半導(dǎo)體器件,、IGBT 功率模塊,、CMOS 圖像傳感器、電源管理 IC,、傳感及控制 IC 等產(chǎn)品,。其中，IGBT 是比亞迪半導(dǎo)體的拳頭產(chǎn)品,。

　　從 F3DM 采用的 IGBT 1.0 芯片,，大規(guī)模配置于 e6、K9 等新能源車型上的 IGBT 2.5 芯片模塊,，到去年推出的 IGBT 4.0 芯片,，比亞迪的 IGBT 芯片已經(jīng)研發(fā)了超過十年，成為國內(nèi)首個貫通新能源汽車 IGBT 芯片設(shè)計,、晶圓制造,、模塊封裝、仿真測試以及整車測試等全產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè),。

　　近日,，比亞迪 IGBT 項目在長沙正式動工,。據(jù)悉，該項目總投資 10 億元,，將建成年產(chǎn) 25 萬片 8 英寸新能源汽車電子芯片生產(chǎn)線,，投產(chǎn)后可滿足年裝車 50 萬輛新能源汽車的產(chǎn)能需求，預(yù)計年度營業(yè)收入可達(dá) 8 億元,，實(shí)現(xiàn)利潤約 4000 萬元,。

　　比亞迪電控、IGBT 模塊等零部件背靠集團(tuán)新能源汽車的發(fā)展,，成為市場中亮眼的存在,。比亞迪已經(jīng)成為國內(nèi)新能源汽車市場中裝機(jī)量最多的電控供應(yīng)商，IGBT 部分也成為國內(nèi)新能源汽車電控用功率模塊裝機(jī)量數(shù)一數(shù)二的供應(yīng)商,。

　　有數(shù)據(jù)顯示,，2019 年，英飛凌為國內(nèi)電動乘用車市場供應(yīng) 62.8 萬套 IGBT 模塊,，市占率達(dá)到 58%,。而比亞迪供應(yīng)了 19.4 萬套，市占率達(dá)到 18%（按最新數(shù)據(jù)估算,，其在中國車規(guī)市場的份額已達(dá) 22.1%）,。可以說,，比亞迪緩解了我國車規(guī)級 IGBT 芯片市場一直被外企“卡脖子”的局面,。

　　2019 年，比亞迪 IGBT 自供比率約 70%,，盡管比亞迪打破了國際巨頭的壟斷,，但其對外供應(yīng)量僅 4 萬多套，可以看出比亞迪還是相當(dāng)保守的,。因此,，4 月 14 日比亞迪宣布通過整合公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)、成立了獨(dú)立的“比亞迪半導(dǎo)體有限公司”,，擴(kuò)大 IGBT 業(yè)務(wù)量,，下一步的規(guī)劃是讓 IGBT 的外供比例爭取超過 50%。

　　小結(jié)：目前比亞迪在國內(nèi)新能源汽車用 IGBT 市場的份額只有 20%左右,，市場絕大部分仍掌握在英飛凌,、三菱等外資企業(yè)手里,，比亞迪占據(jù)的市場份額并不算高,。放眼全球 IGBT 市場，比亞迪所占據(jù)的市場份額更是不足 2%,，差距巨大,。

　　比亞迪的孤單,，不僅體現(xiàn)在 IGBT 技術(shù)實(shí)力和市場份額上的種種差距，更在于關(guān)鍵零部件領(lǐng)域自主品牌弱勢的行業(yè)積淀和產(chǎn)業(yè)生態(tài)現(xiàn)狀,。

　　由此來看,，比亞迪和國內(nèi) IGBT 企業(yè)們的追趕之路并不好走。但縱使路漫漫其修遠(yuǎn)兮,，還望上下而求索

　　斯達(dá)半導(dǎo)體

　　國際巨頭壓力之外,，比亞迪還面臨著來自本土競爭對手——斯達(dá)半導(dǎo)體帶來的挑戰(zhàn)。

　　根據(jù) IHS Markit 2018 年報告,，斯達(dá)半導(dǎo)體是國內(nèi)唯一進(jìn)入全球前十的 IGBT 模塊廠商,。相較于比亞迪半導(dǎo)體的 IGBT 技術(shù)從 1.0 迭代到 4.0（相當(dāng)于國際第五代），斯達(dá)半導(dǎo)的 IGBT 技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到了第六代,，基于第六代 Trench Field Stop 技術(shù)的 IGBT 芯片及配套的快恢復(fù)二極管芯片已在新能源汽車行業(yè)實(shí)現(xiàn)應(yīng)用,。

　　根據(jù)今年公司上市時披露的數(shù)據(jù)來看，斯達(dá)半導(dǎo)體 2019 年生產(chǎn)的車規(guī)級 IGBT 模塊已經(jīng)配套了超過 20 家終端汽車品牌,，合計配套超過 16 萬輛新能源汽車,，此外適用于燃油車的 BSG 功率組件順利通過了主流汽車廠商的認(rèn)證，打開了傳統(tǒng)汽車市場,。其中,，斯達(dá)半導(dǎo)的子公司 StarPower Europe AG 使用自主芯片的 IGBT 模塊在歐洲市場已被包括新能源汽車行業(yè)在內(nèi)的客戶接受并批量采購，步伐邁入全球化,。

　　小結(jié)：斯達(dá)半導(dǎo)體與比亞迪相比：比亞迪 IGBT 業(yè)務(wù)有著自身新能源汽車產(chǎn)業(yè)做背書,，使其產(chǎn)品研發(fā)和應(yīng)用落地獲益，此為優(yōu)勢,；

　　然而,，“水能載舟，亦能覆舟”,，或許也正是由于比亞迪本身有整車業(yè)務(wù),，進(jìn)而難以讓其他車企真正放下心中的芥蒂，使用比亞迪的 IGBT 產(chǎn)品,。此為劣勢,。

　　相信斯達(dá)半導(dǎo)體的崛起對于比亞迪和本土 IGBT 產(chǎn)業(yè)來講不是壞事。畢竟,，“一枝獨(dú)秀不是春,，百花齊放春滿園”。

　　國內(nèi)其它企業(yè)

　　此外,，國內(nèi)還有中車,、士蘭微、揚(yáng)杰科技,、宏微科技等企業(yè)在進(jìn)行車規(guī)級 IGBT 的研發(fā)和生產(chǎn),。隨著國家的高度重視和大力扶持,，國內(nèi)在 IGBT 研發(fā)方面確實(shí)已經(jīng)取得了長足的進(jìn)步，本土 IGBT 產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成,。

　　但基于國內(nèi)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀,，再加上 IGBT 本身設(shè)計門檻高、制造技術(shù)難,、投資大,，國內(nèi)相關(guān)人才又較為缺乏，在設(shè)計,、測試以及封裝等核心技術(shù)方面還積累不夠,，導(dǎo)致國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)在 IGBT 市場一直處于弱勢地位。

　　整體來看,，國內(nèi)功率半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)仍以中低端為主,，在高端產(chǎn)品方面目前國際廠商仍占據(jù)著絕對優(yōu)勢地位，供需一直存在較大缺口,，技術(shù)差距短期內(nèi)或較難追平,。

　　IGBT 市場格局：外企壟斷之下，本土產(chǎn)業(yè)痛點(diǎn)何在,？

　　自 1985 年前后美國 GE 成功試制工業(yè)樣品以來,，IGBT 經(jīng)過 30 多年的發(fā)展，如今已發(fā)展到第 7 代技術(shù),。第 7 代由三菱電機(jī)在 2012 年推出,，富士電機(jī)則從 2015 年就開始對外提供 IGBT 模塊第七代產(chǎn)品的樣品。而比亞迪 2018 年 12 月才發(fā)布 IGBT 4.0 技術(shù)（也就是國際上第五代技術(shù)）,，其中的差距不言而喻,。

　　根據(jù) IHS 統(tǒng)計，2018 年僅英飛凌,、三菱,、富士電機(jī)、安森美,、ABB 五大廠商在 IGBT 領(lǐng)域占據(jù)的市場份額接近 70%,，其中排在第一位的英飛凌市場份額高達(dá) 34.5%。目前國內(nèi) IGBT 產(chǎn)品的研發(fā)與國際大廠相比還存在很大差距,，核心技術(shù)均掌握在外資企業(yè)手中,，IGBT 技術(shù)集成度高的特點(diǎn)又導(dǎo)致了較高的市場集中度。

　　國內(nèi) IGBT 技術(shù)(芯片設(shè)計,、晶圓制造,、模塊封裝)目前尚處于起步階段。本土企業(yè)在研發(fā)與制造工藝上與世界先進(jìn)水平差距較大,。而且,，IGBT 是關(guān)鍵設(shè)備上的核心部件,，供應(yīng)切換具有非常高的風(fēng)險,，這也制約了我國 IGBT 技術(shù)的發(fā)展和產(chǎn)品的應(yīng)用,。

　　形成上述局面的原因可以概括為以下幾個方面。

　　國際廠商起步早,，形成了較高的行業(yè)壁壘

　　國內(nèi) IGBT 產(chǎn)業(yè)化起步較晚且基礎(chǔ)薄弱,，例如比亞迪、斯達(dá)半導(dǎo)體 2005 年才開始成立 IGBT 團(tuán)隊,，而英飛凌 1999 年就從西門子拆分出來,，且之前就已經(jīng)有了很深的技術(shù)積累，技術(shù)差距短期內(nèi)很難追平,。

　　再加上 IGBT 本身設(shè)計門檻高,、制造技術(shù)難、投資大,、國內(nèi)相關(guān)人才較為缺乏,，在設(shè)計、制造,、測試以及封裝等核心技術(shù)方面還積累不夠,，導(dǎo)致國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)在 IGBT 市場一直處于弱勢地位。

　　IGBT 技術(shù)與工藝差距

　　目前國內(nèi) IGBT 行業(yè)雖然逐漸具備了一定的產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同能力,，但國內(nèi) IGBT 技術(shù)在芯片設(shè)計,、晶圓制造、模塊封裝等環(huán)節(jié)目前均處于起步階段,。

　　晶圓制造方面,，國內(nèi) IGBT 主要受制于晶圓生產(chǎn)的瓶頸，首先是沒有專業(yè)的代工廠進(jìn)行 IGBT 的代工,，原 8 寸溝槽 IGBT 產(chǎn)品主要在華虹代工,，但是 IGBT 并非華虹主營業(yè)務(wù)，產(chǎn)品配額極其匱乏,，且價格偏高,；

　　其次，與國外廠商相比,，國內(nèi)公司在大尺寸晶圓生產(chǎn)上工藝仍落后于全球龍頭,。晶圓越大，單片晶圓產(chǎn)出的芯片就越多,，在制造加工流程相同的條件下,，單位芯片的制造成本會更低。目前,，IGBT 產(chǎn)品最具競爭力的生產(chǎn)線是 8 英寸和 12 英寸,，國內(nèi)晶圓生產(chǎn)企業(yè)此前大部分還停留在 6 英寸產(chǎn)品的階段,。僅有比亞迪、中車,、士蘭微等幾家國內(nèi)企業(yè)實(shí)現(xiàn) 8 英寸產(chǎn)品量產(chǎn),。

　　同時，由于國內(nèi)集成電路公司沒有獨(dú)立的功率器件生產(chǎn)線,，只能利用現(xiàn)有的集成電路生產(chǎn)工藝完成芯片加工,，所以設(shè)計生產(chǎn)的基本是一些低壓芯片。與普通 IC 芯片相比,，大功率器件有許多特有的技術(shù)難題,，如芯片的減薄工藝，背面工藝等,。

　　可以看出,，IGBT 是一個對產(chǎn)線工藝依賴性極強(qiáng)的公司，解決這些難題不僅需要成熟的工藝技術(shù),，更需要先進(jìn)的工藝設(shè)備,，這意味著設(shè)計公司不能跳出代工廠的支持獨(dú)立存在。所以,，IGBT 企業(yè)走向大而強(qiáng)的最好的路線就是 IDM 模式,。這些都是我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程中急需解決的問題。

　　IGBT 封裝相對落后

　　在模塊封裝技術(shù)方面,，車用 IGBT 的散熱效率要求比工業(yè)級要高得多,，逆變器內(nèi)溫度最高可達(dá) 20℃，同時還要考慮強(qiáng)振動條件,。國內(nèi)目前僅掌握了傳統(tǒng)的焊接式封裝技術(shù),，與國外公司相比，技術(shù)上的差距依然存在,。國外公司基于傳統(tǒng)封裝技術(shù)相繼研發(fā)出多種先進(jìn)封裝技術(shù),，能夠大幅提高模塊的功率密度、散熱性能與長期可靠性,，并初步實(shí)現(xiàn)了商業(yè)應(yīng)用,。

　　自第六代技術(shù)以后，各大廠商開始將精力轉(zhuǎn)移到 IGBT 封裝上,。在 IGBT 封裝材料方面,，日本在全球遙遙領(lǐng)先，德國和美國處于跟隨態(tài)勢,，我國的材料科學(xué)則相對落后,。

　　IGBT 工藝生產(chǎn)設(shè)備短板

　　IGBT 產(chǎn)業(yè)每道制作工藝都有專用設(shè)備配套，國內(nèi) IGBT 工藝設(shè)備購買、配套較為困難,。比如德國的真空焊接機(jī),、薄片加工設(shè)備、表面噴砂設(shè)備,、自動化測試設(shè)備等,，其中有的國內(nèi)沒有，或技術(shù)水平達(dá)不到,。

　　圖源 | SEMI

　　因此就會面臨好的進(jìn)口設(shè)備價格十分昂貴,，便宜設(shè)備又不適用的問題,。此外,，還面臨國外設(shè)備由于出口限制或技術(shù)保密等因素未必會賣給中國的困境。

　　可見,，要成功設(shè)計,、制造 IGBT 必須要有產(chǎn)品設(shè)計、芯片制造,、封裝測試,、可靠性試驗(yàn)、系統(tǒng)應(yīng)用等成套技術(shù)的研究,、開發(fā)及產(chǎn)品制造于一體的自動化,、專業(yè)化和規(guī)模化的產(chǎn)業(yè)生態(tài),。

　　行業(yè)人才短缺

　　高端工藝開發(fā)人員非常缺乏,，現(xiàn)有研發(fā)人員的設(shè)計水平有待提高。目前國內(nèi)沒有系統(tǒng)掌握 IGBT 制造工藝的人才,。從國外先進(jìn)功率器件公司引進(jìn)是捷徑,。但單單引進(jìn)一個人很難掌握 IGBT 制造的全流程，而要引進(jìn)一個團(tuán)隊難度太大,。國外 IGBT 制造中許多技術(shù)是有專利保護(hù),。目前如果要從國外購買 IGBT 設(shè)計和制造技術(shù)，還牽涉到好多專利方面的東西,。

　　市場推廣受阻

　　由于 IGBT 產(chǎn)品的壽命,、穩(wěn)定性直接影響電動車安全性，其性能也直接決定了續(xù)航里程等電動車性能,，因此全球電動車 IGBT 市場此前一直被英飛凌等海外巨頭壟斷,。

　　車企切換至國內(nèi)供應(yīng)商，需要對其產(chǎn)品穩(wěn)定性,、性價比,、量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)與裝車量、公司整體研發(fā)與資金實(shí)力等進(jìn)行綜合評估。因此 IGBT 在國產(chǎn)替代過程中面臨的較大市場難度,。

　　小結(jié)：不難看到,，從市場占比、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同,，到專利壁壘,、人才技術(shù)，再到市場及下游客戶的認(rèn)可度,，本土 IGBT 產(chǎn)業(yè)存在著全方位差距,。

　　盡管近年來國內(nèi)眾多廠商紛紛開始加入 IGBT 產(chǎn)品布局，市場規(guī)模呈加速增長趨勢,。但國內(nèi) IGBT 市場產(chǎn)量依然較低,，市場份額被國外巨頭瓜分蠶食。

　　面對當(dāng)前產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀與困局,，本土 IGBT 產(chǎn)業(yè)亟待突破,。

　　如何突破？

　　圖源 | CGTN

　　發(fā)展晶圓代工廠與制程工藝

　　弘大芯源董事長章威縱表示,，“從過去 50 年硅基半導(dǎo)體發(fā)展之初,，到目前國外第三代半導(dǎo)體發(fā)展領(lǐng)先的實(shí)際情況不難看出，沒有先進(jìn)的晶圓代工廠和制程工藝技術(shù),，技術(shù)就很難生根,。這也是中國硅基及 IGBT 嚴(yán)重依賴進(jìn)口，落后國外的一大原因,?！?/p>

　　去年，中芯國際以 1.13 億美元的對價,，將所持有的 LFoundry 70%股權(quán)轉(zhuǎn)讓給專注于 IGBT,、FRD 等新型電力電子芯片的研發(fā)企業(yè)——江蘇中科君芯?？梢?，國內(nèi) IGBT 企業(yè)在工藝制程方面逐漸在發(fā)力追趕。

　　國內(nèi)企業(yè)制造成本優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)

　　IGBT 產(chǎn)品當(dāng)前最具競爭力的生產(chǎn)線是 8 英寸和 12 英寸,，最為領(lǐng)先的廠商是英飛凌,，已經(jīng)在 12 英寸生產(chǎn)線量產(chǎn) IGBT 產(chǎn)品。國內(nèi)公司大尺寸晶圓工藝和良率均落后于行業(yè)龍頭,，導(dǎo)致芯片分?jǐn)偝杀据^高,。

　　目前，伴隨國內(nèi)企業(yè) 8 寸晶圓產(chǎn)線先后投產(chǎn),，良率逐步提升,，國產(chǎn) IGBT 有望較此前采購英飛凌等巨頭晶圓價格大幅下降。

　　新能源汽車市場是重要發(fā)力點(diǎn)

　　工信部印發(fā)的《汽車產(chǎn)業(yè)中長期發(fā)展規(guī)劃》提出，到 2020 年我國新能源汽車產(chǎn)量達(dá)到 200 萬輛,，2025 年達(dá)到 700 萬輛,。IGBT 模塊占電動汽車成本將近 10%，占充電樁成本約 20%,。

　　集邦咨詢預(yù)測,，到 2025 年，中國新能源汽車所用 IGBT 市場規(guī)模將達(dá)到 210 億人民幣,，充電樁所用 IGBT 的市場規(guī)模將達(dá)到 100 億人民幣,。可以預(yù)見,，新能源汽車市場將成為助推 IGBT 市場增長的主要力量,，國內(nèi) IGBT 廠商要抓住這一發(fā)展契機(jī)，爭取擴(kuò)大市場份額,。

　　小結(jié)：在新的市場需求與本土產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展的趨勢下,，國內(nèi) IGBT 行業(yè)逐漸在縮小差距,。

　　對于本土企業(yè)應(yīng)該如何發(fā)力追趕,，新能源及未來汽車技術(shù)路線獨(dú)立研究者曹廣平向筆者指出，“本土 IGBT 產(chǎn)業(yè)應(yīng)匯集優(yōu)質(zhì)人才,、企業(yè),、科研機(jī)構(gòu)、資金等,，向華為一樣發(fā)力,。這樣的發(fā)力，一定不要限于報項目,、批項目,、驗(yàn)項目，而是要緊緊抓住權(quán)利的配套監(jiān)管,，不放松,，不腐敗，不亂來,?！?/p>

　　也許吧。產(chǎn),、學(xué),、研共同發(fā)力是產(chǎn)業(yè)發(fā)展和進(jìn)步的基礎(chǔ)，良好的制度和行業(yè)規(guī)則是產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步追趕的保障,。

　　寫在最后

　　總體來看,，我國在 IGBT 領(lǐng)域已經(jīng)解決了從 0 到 1 的問題，未來需要經(jīng)歷的是從 1 到 N 的漫長過程。

　　新基建及戰(zhàn)略新興行業(yè)鼓勵政策等機(jī)遇,，看似是助力行業(yè)前進(jìn)的大風(fēng)口,，大機(jī)遇。但實(shí)際上,，也正如曹廣平所言,，“我們最缺乏的是不去迎合機(jī)遇，而是政府,、行業(yè),、企業(yè)等能夠踏踏實(shí)實(shí)長期真正做事情的耐心和決心?！?/p>

　　畢竟,，政策只是一時的，機(jī)遇和風(fēng)口總會過去,。剩下的,，只有日復(fù)一日的耐心與“不破樓蘭終不還”的決心，才能有不被受制于人的可能與下一次面對挑戰(zhàn)時再來一次的勇氣,。

　　文章參考

　　《比亞迪的 IGBT 真的很牛,？》，汽車公社—王小西,；

　　《IGBT 國內(nèi)替代國外》,，智能網(wǎng)聯(lián)汽車；

　　《IGBT 市場巨頭林立 比亞迪半導(dǎo)體突圍不易》,，蓋世汽車資訊,；

　　《電動車核心技術(shù) IGBT，國產(chǎn)替代可期》,，中信證券,；

　　“新能源及未來汽車技術(shù)路線獨(dú)立研究者 曹廣平”部分觀點(diǎn)。