3 月 10 日訊,，據(jù)悉，韓國科學(xué)技術(shù)研究院一個團(tuán)隊(duì)已經(jīng)成功開發(fā)出一種新的化合物,，可以取代 GaN 來生產(chǎn)藍(lán)光 LED,，該研究成果的意義在于,，通過在硅襯底上生長高質(zhì)量的銅鹵素單晶碘化銅,，實(shí)現(xiàn)高效的藍(lán)光發(fā)射，在世界范圍內(nèi)首次展示了一種新的使用銅鹵素化合物的半導(dǎo)體材料新技術(shù),。

　　該團(tuán)隊(duì)使用碘化銅（CuI）化合物發(fā)出藍(lán)光,，該化合物是通過合成銅和碘制成的。研究小組說：“我們發(fā)現(xiàn)碘化銅半導(dǎo)體可以發(fā)出比 GaN 基器件高 10 倍的藍(lán)光,。它們還具有出色的光電效率和長期的器件穩(wěn)定性,。”

　　研究人員研發(fā)的碘化銅半導(dǎo)體可以在低成本,、缺陷小的硅襯底上生長,，因此具有使用目前市面上可買到的大尺寸硅襯底(300 毫米)的優(yōu)勢。此外,，碘化銅薄膜的生長溫度與硅基工藝中使用的溫度（低于 300 攝氏度）相似,，因此可以在不犧牲性能的情況下沉積碘化銅薄膜。因此,，它可以應(yīng)用于低成本,、簡單的硅半導(dǎo)體工藝。

　　LED 需要紅,，綠和藍(lán)三色搭配才能產(chǎn)生白光,。此前，日本已經(jīng)開發(fā)出一種制造高質(zhì)量 GaN 的方法來生產(chǎn)藍(lán)光 LED,，該 LED 被用作智能手機(jī),，顯示器，電子產(chǎn)品和高頻設(shè)備的核心設(shè)備,。

　　GaN 是第三代半導(dǎo)體材料的代表之一,，具備易散熱，體積小,，損耗小,，功率大等諸多優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)內(nèi)寄予厚望,?？杀粦?yīng)用于光電、功率和射頻等多個領(lǐng)域,，同時能滿足高功率密度,、低能耗、高頻率等要求,。