針對5G 通訊毫米波(mm-Wave)開發(fā)趨勢,，AiP(Antenna in Package)封裝技術將成為實現(xiàn)手機終端裝置的發(fā)展關鍵。隨著 Qualcomm 于 2018 年 7 月推出的 AiP 模組(QTM052 及 525)陸續(xù)問世后,，各家廠商對此無不摩拳擦掌,，爭相投入相關模組的技術研制上；其中半導體制造龍頭臺積電及封測大廠日月光投控,，對此最為積極,。

　　日月光投控對于 AiP 封裝技術之演進，憑借日月光及矽品對于相關封裝的長期研發(fā),，以及旗下環(huán)旭電子增設天線測試實驗室的積極投入態(tài)度,，為此將進一步擴充 5G 毫米波之發(fā)展進程。

　　Qualcomm 推出 AiP 模組后,，制造龍頭臺積電與封測大廠日月光等皆已躍躍欲試

　　面對 5G 通訊毫米波逐步發(fā)展之際,，加上 Qualcomm 已推出的 AiP 模組產(chǎn)品，各家 IDM 廠、Fabless 廠,、制造及封測代工廠商,，對此無不躍躍欲試，試圖加速開發(fā)相關產(chǎn)品,，從而應付為數(shù)龐大的射頻前端市場及 5G 應用商機,。

　　為了實現(xiàn) AiP 封裝制造技術，現(xiàn)行除了已開發(fā)出 InFO-AiP 封裝技術的半導體制造龍頭臺積電外,，其他封測廠商(如日月光,、Amkor、江蘇長電及矽品等)也有相應的布局動作,，并采取默默耕耘的發(fā)展態(tài)勢,，以求提供后續(xù) 5G 通訊毫米波之市場需要。

　　其中,，若以日月光及矽品發(fā)展動態(tài)為例,，現(xiàn)階段 AiP 封裝技術主要采用 RFIC 于底層的設計架構，相較于臺積電在內層及其他廠商于上層之結構,，整體于制作成本上,，相較其他產(chǎn)品將更具吸引力。

　　日月光與臺積電于 AiP 封裝技術差異,，使產(chǎn)品特性及成本已成為選擇難題

　　針對現(xiàn)行 AiP 封裝技術,，進一步比較于臺積電內層式之 InFO-AiP 構造，以及日月光與矽品于底層式的 AiP 結構差異,，可發(fā)現(xiàn) RFIC 的擺放位置,，將是決定模組產(chǎn)品之性能表現(xiàn)(天線訊號損耗、散熱機制)及成本高低(制造良率及難易度)的重要指標,。

　　圖：RFIC 于不同位置之 AiP 結構比較表,，Source：拓墣產(chǎn)業(yè)研究院整理

　　其中，以日月光與矽品開發(fā)之 AiP 封裝架構為探討主題時,，當 RFIC 放置于底層結構中,，此結構確實能有效降低封裝成本，并且對于開發(fā)流程上也十分有利,；由于封測廠商于相關制作流程中,，可獨立開發(fā)重分布層(RDL)，并搭配上單獨封裝好的 RFIC,，最后再將二者結合于一體,，以完成 AiP 所需的架構。

　　如此之設計理念,，對于管控封裝成本而言,，已起到節(jié)省工序作用；然而卻也衍生出另一個難題，“如何將底層的 RFIC 在運作時產(chǎn)生之熱源有效導引出來”,，這將是后續(xù)亟需克服的關鍵要務之一,。

　　另一方面，臺積電開發(fā)的 InFO-AiP 封裝技術,，由于運用本身擅長的線寬微縮技術,，當 RFIC 于元件制造完成后，隨之進行一系列的后段封裝程序,；也在此時延伸原有的通訊元件金屬線路,，將使重分布層得以連結 RFIC 并導引至天線端，從而達到降低天線端訊號衰弱之效果,。

　　整體而言,，雖然日月光及矽品的 AiP 結構可有效降低成本，但散熱機制仍需額外考量,，且臺積電的 InFO-AiP 能成功增進產(chǎn)品效能,，然而整體封測制造成本卻依舊偏高。

　　由此可見,，AiP 封裝技術于產(chǎn)品特性及成本表現(xiàn)之因素中,，已成為一項選擇難題，考驗未來客戶在產(chǎn)品設計及應用需求上應該如何取舍,。