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納微半導體65W 氮化鎵(GaN)方案獲小米10 Pro充電器采用

充電技術推動小米投資納微(Navitas)半導體
2020-02-17
來源:Navitas

  小米集團和納微(Navitas)宣布,,其GaNFast充電技術已被小米采用,,用于旗艦產(chǎn)品Mi 10 PRO智能手機,。 小米董事長兼首席執(zhí)行官雷軍先生在2月13日的小米在線新聞發(fā)布會上宣布了此消息。 GaNFast功率IC使用氮化鎵(GaN),,這是一種新的半導體材料,,其運行速度比以前的硅(Si)電源芯片快100倍,因此僅需45分鐘即可對Mi 10 PRO進行0至100%的充電,。

Navitas Xiaomi charger.jpg

  雷軍在直播發(fā)布會上表示:“GaN(氮化鎵)作為一種新半導體材料,,給充電器,帶來了無法想象的效果,。它特別小,,充電效率特別高,比小米10 Pro標配的65W充電器再小了一半,?!?雷軍為推廣氮化鎵技術,鼓勵消費者和米粉們關注新時代充電技術變化,。

  據(jù)悉,,小米早前就已投資納微(Navitas)半導體,為這次合作埋下伏筆,。小米的投資策略是通過資金注入,,確立產(chǎn)業(yè)鏈上下游合作,同時兼顧投資和業(yè)務的雙重收益,。通過此次合作,,納微(Navitas)半導體也得以拓寬銷售渠道。這正是小米扶持合作企業(yè),、推動制造業(yè)升級,、帶動行業(yè)活力的證明,并最終發(fā)布了帶有GaNFast充電技術的小米Mi 10 PRO,。

  納微(Navitas)半導體首席執(zhí)行官Gene SHERIDAN在會后表示:“非常高興看到小米對新材料,,新技術所持的開放態(tài)度。納微半導體自成立以來就專注于GaN材料的技術運用和創(chuàng)新,,所開發(fā)的GaNFast功率IC是FET,,驅動器和邏輯的單片集成,可實現(xiàn)極小的應用尺寸和高效率,。對于希望走在前端,、引領技術潮流的廠商,GaNFast技術會為他們的產(chǎn)品注入高性能和差異化,!”

  納微(Navitas)半導體中國區(qū)總經(jīng)理查瑩杰則表示:“目前智能手機,,平板電腦和筆記本電腦的電池容量不斷增加,另一方面,,消費者卻需要更快的充電體驗,,而GaNFast技術具有小尺寸、輕量和高效的優(yōu)勢,,因而極具吸引力,。GaNFast技術為業(yè)界帶來小巧、高效的充電器,,可以為手機和筆記本電腦等電子產(chǎn)品快速充電,。”

  小米65W GaN充電器Type-C 65W的核心器件采用的是納微半導體的NV6115和NV6117 GaNFast功率IC,,它們針對高頻,、軟開關拓撲進行了優(yōu)化,通過FET,、驅動器和邏輯的單片集成,,創(chuàng)建了非常小并且非常快的易于使用的 “數(shù)字輸入,,電源輸出” 高性能電源轉化模塊,。使用GaNFast技術,小米65W GaN充電器只有56.3 x 30.8 x 30.8mm(53 cc),,是標準適配器尺寸的一半,。


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