存儲芯片被譽為工業(yè)的糧食，存儲芯片是嵌入式系統(tǒng)芯片的概念在存儲行業(yè)的具體應(yīng)用,，無論是系統(tǒng)芯片還是存儲芯片，都是通過在單一芯片中嵌入軟件,，實現(xiàn)多功能和高性能,，以及對多種協(xié)議、多種硬件和不同應(yīng)用的支持,。

　　中國?年進口的集成電·超過3000億美元,，其中存儲芯片占了大約1/3的份額，但DRAM內(nèi)存及NAND閃存目前尚無國產(chǎn)廠商染指,，國產(chǎn)率基本為0,，其中高價值的內(nèi)存幾乎?斷在三星、SK Hynix及美光三家公司中,。

　　Digitimes報道稱,，合肥長鑫(ChangXin Memory Technologies，簡稱CXMT)公司計劃在今年底量產(chǎn)首款內(nèi)存芯片,，是8GB LPDDR4顆粒,，預(yù)計Q4季度產(chǎn)能約為2萬片晶圓/月，不過產(chǎn)能最終會擴大到12.5萬片晶圓/月,。

　　根據(jù)長鑫之前的公告,，其首批8Gb LPDDR4內(nèi)存應(yīng)該是19nm工藝的，預(yù)計在2020年建設(shè)第二座晶圓廠,，將使用20nm以下的工藝生產(chǎn)內(nèi)存,，該公司計劃在2021年量產(chǎn)17nm工藝的內(nèi)存芯片。

　　此外,，國內(nèi)研發(fā)DRAM內(nèi)存的另一家公司福建晉華JHICC被美國制裁,，業(yè)務(wù)幾乎停擺，長鑫公司也擔心被美國盯上,，促使他們在研發(fā)過程中非常注重知識產(chǎn)權(quán),。

　　從長鑫公司之前公布的消息來看，他們的內(nèi)存技術(shù)主要源于破產(chǎn)的奇夢達公司,，將一千多萬份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2.8TB數(shù)據(jù)收歸囊中,，這也是公司最初的技術(shù)來源之一。長鑫存儲在所接收技術(shù)和國際合作的基礎(chǔ)上,，利用專用研發(fā)線,，展開世界速度的快速迭代研發(fā)，已持續(xù)投入晶圓超過15000片,。