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臺(tái)積電的6nm制程是在玩“數(shù)字游戲”嗎,?

2019-06-04
關(guān)鍵詞: 臺(tái)積電 數(shù)字游戲 CEO

  5月2日,,在本周的季度收益電話會(huì)議上,,臺(tái)積電CEO 兼副董事長κ哲家披?,,預(yù)計(jì)其大部分7nm工藝客戶將轉(zhuǎn)型至6nm工藝節(jié)點(diǎn),,6nm節(jié)點(diǎn)使用率和產(chǎn)能都會(huì)迅速擴(kuò)大,卻引發(fā)了很多網(wǎng)友“數(shù)字游戲”的質(zhì)疑,。盡管我們不能否認(rèn)臺(tái)積電在半導(dǎo)體制程工藝上的飛速進(jìn)步,,但是業(yè)界不乏一些質(zhì)疑的聲音。

  根據(jù)此前的報(bào)道,,臺(tái)積電于4月16日宣布推出6nm(N6)制程技術(shù),,并預(yù)計(jì)2020年第1季度進(jìn)入試產(chǎn)。

  臺(tái)積電表示,,6nm制程技術(shù)將大幅強(qiáng)化目前領(lǐng)先業(yè)界的7nm技術(shù),協(xié)助客戶在能耗與成本間取得高度競爭力優(yōu)勢,,同時(shí)6nm工藝還沿用了7nm技術(shù)設(shè)計(jì),,從而加速了客戶相關(guān)產(chǎn)品的推出。

  據(jù)了解,,臺(tái)積電的6nm制程將使用極紫外光(EUV)光刻技術(shù),,因此相比第二代7nm(N7+)制程又增加了一個(gè)極紫外光刻層,相比N7技術(shù)可將晶體管密度提升18%,,而且設(shè)計(jì)規(guī)則完全兼容N7,,便于升級(jí)遷移,降低成本,,相比之下第二代7nm工藝則是另一套設(shè)計(jì)規(guī)則,。

  如此一來,臺(tái)積電的第二代7nm工藝就比較尷尬了,,雖然下一代蘋果A系列處理器和華為麒麟將會(huì)使用該節(jié)點(diǎn),,但按照κ哲家的說法,可能其他使用第一代7nm工藝的老客戶會(huì)選擇跳過N7+節(jié)點(diǎn),,直接升級(jí)到6nm工藝,。

  值得一提的是,臺(tái)積電的6nm明年才會(huì)試產(chǎn),,而號(hào)稱相比于第一代7nm晶體管密度提升45%,,可帶來15%的性能提升或20%功耗下降的臺(tái)積電5nm工藝已經(jīng)順利進(jìn)入試產(chǎn)階段,所以預(yù)計(jì)蘋果和華為將會(huì)跳過6nm,,直接選擇更為強(qiáng)悍的5nm工藝,。

  臺(tái)積電的進(jìn)步有目共睹。


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