5月8日,，據(jù)中央社報道，由于液態(tài)氮外包廠商施工失誤,，導致延遲出貨影響,，半導體磊晶廠英特磊4月營收為4800萬元(新臺幣，下同),，較上個月減少23.8%,，也較去年同期減少0.9%。累計1至4月營收2.29億元,，年減4.27%,。

　　英特磊表示，4月營收受到影響主要是因液態(tài)氮承包廠商施工疏失,，導致分子束磊晶(MBE)設(shè)備延遲出貨,，預(yù)估此次延遲出貨可在1至2個月內(nèi)補回，后續(xù)賠償損失將交由保險公司處理,。

　　現(xiàn)行化合物半導體商用磊晶制程技術(shù),，大致可分成MOCVD(有機金屬氣相沉積法)和MBE(分子束磊晶技術(shù))。若以成長技術(shù)而論,，MOCVD的成長條件由氣相方法進行,，透過氫氣或氮氣等特定載氣引導，使三族和五族氣體均勻混合后,，再導入反應(yīng)腔體中,，接著透過適當?shù)姆磻?yīng)溫度(400～800度)，讓氣體裂解并成長于基板上。MBE成長條件則透過元素加熱方式,，借由超高真空環(huán)境的腔體,，將所需磊晶元素加熱升華形成分子束，當分子束接觸基板后,，就可形成所需磊晶結(jié)構(gòu),。

　　而英特磊這兩樣制程技術(shù)都可做，并采用MBE技術(shù)從事砷化鎵(GaAs),、銻化鎵(GaSb),、磷化銦(InP)化鎵等三五族化合物半導體磊晶(Epi)的生產(chǎn)，擁有從基板到磊晶的垂直整合技術(shù)能力,。

　　磊晶可提供無線通訊,、衛(wèi)星通訊、光纖通訊5G等商用,，甚至是太空與國防上的紅外線感測,、夜視、攝影等產(chǎn)品應(yīng)用,，受惠5G基礎(chǔ)建設(shè)布建,，以及車用化合物芯片的需求將逐步增加，這也為磊晶市場δ來增加成長動能,。