各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID，在2019年歐洲功率電子及智能傳動產(chǎn)品展覽會（PCIM 2019）上展示了最新的高溫柵極驅(qū)動器,、碳化硅（SiC）MOSFET器件和IGBT功率模塊。PCIM 2019是全球領(lǐng)先的電力電子,、智能傳動,、可再生能源和能源管理展覽及會議。

　　CISSOID公司推出了一款新型柵極驅(qū)動器板,，該板針對額定溫度為125°C（環(huán)境溫度）的62mm碳化硅MOSFET功率模塊進行了優(yōu)化,。該板基于CISSOID的HADES柵極驅(qū)動器芯片組,，還可以驅(qū)動IGBT功率模塊，同時可為汽車和工業(yè)應(yīng)用中高密度功率轉(zhuǎn)換器的設(shè)計提供散熱空間,。它支持高頻（> 100KHz）和快速的碳化硅MOSFET開關(guān)（dV/dt> 50KV/μs）,，從而可以提升功率轉(zhuǎn)換器的效率并減小其尺寸和重量。該板專為惡劣的電壓環(huán)境而設(shè)計,，支持1200V和1700V功率模塊的驅(qū)動,，隔離電壓高達3600V（經(jīng)過50Hz、1分鐘的耐壓測試）,，爬電距離為14mm,。欠壓鎖定（UVLO）、有源米勒鉗位（AMC）和去飽和檢測等保護功能,，確保一旦發(fā)生故障時既可以保證安全駕駛,，還能為功率模塊提供可靠的保護?！斑@款新型碳化硅柵極驅(qū)動器板是與汽車,、運輸和航空航天市場中的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者們多年合作開發(fā)的成果。它結(jié)合了CISSOID在碳化硅器件方面的專業(yè)知識以及設(shè)計適應(yīng)惡劣環(huán)境的芯片和電子系統(tǒng)方面的長期經(jīng)驗,?！盋ISSOID工程副總裁Etienne Vanzieleghem 先生表示。

　　在紐倫堡,，CISSOID還展示了最新的碳化硅MOSFET器件和IGBT功率模塊,。一款新型分立式1200V/40mOhms碳化硅MOSFET晶體管已可供貨，其采用TO-247封裝,，可以在-55°C至175°C的溫度范圍內(nèi)正常工作,。該MOSFET在25°C（結(jié)溫）時，漏極到源極導(dǎo)通電阻是40mOhms,，在175°C（結(jié)溫）時,，導(dǎo)通電阻是75mOhms。很低的開關(guān)導(dǎo)通和關(guān)斷能量（分別為1mJ和0.4mJ）使該器件成為高效緊湊的DC-DC轉(zhuǎn)換器,、功率逆變器和電池充電器的理想選擇,。CISSOID公司還展示了兩款額定電流分別為200A和300A的62mm 1200V IGBT功率模塊。

　　CISSOID還在致力于研發(fā)碳化硅MOSFET功率模塊,，并將在未來幾個月推出,。“這些新產(chǎn)品表明CISSOID致力于提供全面的基于碳化硅的解決方案,，包括晶體管,、模塊和柵極驅(qū)動器，以支持行業(yè)在新型電動汽車和可再生能源應(yīng)用中使用高效、輕便,、緊湊的功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品,，”CISSOID首席執(zhí)行官Dave Hutton先生表示?！拔覀冋c整車廠和汽車零部件供應(yīng)商密切合作,，為新型碳化硅功率逆變器在新能源汽車中的應(yīng)用定制柵極驅(qū)動器?！彼a充道,。