3月19日,，材料領(lǐng)域國(guó)際頂級(jí)期刊《自然·材料》,，發(fā)表復(fù)旦大學(xué)修發(fā)賢團(tuán)隊(duì)最新研究論文——《外爾半金屬砷化鈮納米帶中的超高電導(dǎo)率》。

　　修發(fā)賢團(tuán)隊(duì)新研制的砷化鈮納米帶材料,，電導(dǎo)率是銅薄膜的一百倍,，石墨烯的一千倍,，制備出了二維體系中具有目前已知最高導(dǎo)電率的外爾半金屬材料——砷化鈮納米帶。

　　導(dǎo)電材料是電子工業(yè)的基礎(chǔ),，現(xiàn)在最主要的材料是銅,，而當(dāng)銅變得很薄，進(jìn)入二維尺度時(shí),，電阻變大,，導(dǎo)電性迅速變差，功耗大幅度增加,，這成為制約芯片等集成電路技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展的重要瓶頸,。

　　據(jù)復(fù)旦大學(xué)物理學(xué)系教授修發(fā)賢介紹，他們利用氯化鈮、砷,、氫氣三種元素制備了砷化鈮納米帶,，這種材料它表面有一個(gè)表面態(tài)，這個(gè)表面態(tài)就允許電子在上面快速地通行,，等于創(chuàng)造了一個(gè)綠色的通道,，這樣的話，在低維尺度下,，就可以讓電子快速通過而降低能耗,。