《電子技術(shù)應(yīng)用》
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5G射頻將帶給封裝產(chǎn)業(yè)怎樣的機(jī)會(huì)

2019-03-19
關(guān)鍵詞: 5G 智能手機(jī) 封裝 電路板

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,5G已經(jīng)到來,,各主要智能手機(jī)OEM廠商近期宣布將推出支持5G蜂窩和連接的手機(jī),。5G將重新定義射頻(RF)前端在網(wǎng)絡(luò)和調(diào)制解調(diào)器之間的交互。新的RF頻段(如3GPP在R15中所定義的sub-6 GHz和毫米波(mm-wave))給產(chǎn)業(yè)界帶來了巨大挑戰(zhàn),。

LTE的發(fā)展,,尤其是載波聚合技術(shù)的應(yīng)用,導(dǎo)致當(dāng)今智能手機(jī)中的復(fù)雜架構(gòu),。同時(shí),,RF電路板和可用天線空間減少帶來的密集化趨勢(shì),使越來越多的手持設(shè)備OEM廠商采用功率放大器模塊并應(yīng)用新技術(shù),,如LTE和WiFi之間的天線共享,。

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射頻(RF)器件封裝技術(shù)概覽

在低頻頻段,所包含的600 MHz頻段將為低頻段天線設(shè)計(jì)和天線調(diào)諧器帶來新的挑戰(zhàn),。隨著新的超高頻率(N77,、N78、N79)無線電頻段發(fā)布,,5G將帶來更高的復(fù)雜性,。具有雙連接的頻段重新分配(早期頻段包括N41、N71,、N28和N66,,未來還有更多),也將增加對(duì)前端的限制,。毫米波頻譜中的5G NR無法提供5G關(guān)鍵USP的多千兆位速度,,因此需要在前端模組中具有更高密度,以實(shí)現(xiàn)新頻段集成,。

5G手機(jī)需要4X4 MIMO應(yīng)用,,這將在手機(jī)中增加大量RF流。結(jié)合載波聚合要求,,將導(dǎo)致更復(fù)雜的天線調(diào)諧器和多路復(fù)用器,。

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2018~2024年5G手機(jī)射頻前端結(jié)構(gòu)


5G將為外包半導(dǎo)體封測(cè)廠商(OSAT)帶來更多封裝業(yè)務(wù)

RF系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)市場(chǎng)可分為兩部分:各種RF器件的一級(jí)封裝,,如芯片/晶圓級(jí)濾波器、開關(guān)和放大器(包括RDL,、RSV和/或凸點(diǎn)步驟),;在表面貼裝(SMT)階段進(jìn)行的二級(jí)SiP封裝,其中各種器件與無源器件一起組裝在SiP基板上,。2018年,,射頻前端模組SiP市場(chǎng)(包括一級(jí)和二級(jí)封裝)總規(guī)模為33億美元,預(yù)計(jì)2018~2023年期間的復(fù)合年均增長率(CAGR)將達(dá)到11.3%,,市場(chǎng)規(guī)模到2023年將增長至53億美元,。

2018年,晶圓級(jí)封裝大約占RF SiP組裝市場(chǎng)總量的9%,。Yole在這份新的報(bào)告中詳細(xì)研究了移動(dòng)領(lǐng)域各種射頻前端模組的SiP市場(chǎng),,包括:PAMiD(帶集成雙工器的功率放大器模塊)、PAM(功率放大器模塊),、Rx DM(接收分集模塊),、ASM(開關(guān)復(fù)用器、天線開關(guān)模塊),、天線耦合器(多路復(fù)用器),、LMM(低噪聲放大器-多路復(fù)用器模塊)、MMMB PA(多模,、多頻帶功率放大器)和毫米波前端模組,。到2023年,PAMiD SiP組裝預(yù)計(jì)將占RF SiP市場(chǎng)總營收的39%,。

本報(bào)告包含了覆蓋蜂窩和連接的射頻前端模組,,并提供了按各種通信標(biāo)準(zhǔn)和智能手機(jī)細(xì)分的SiP市場(chǎng)預(yù)測(cè)。到2023年,,用于蜂窩和連接的射頻前端SiP市場(chǎng)將分別占SiP市場(chǎng)總量的82%和18%,。按蜂窩通信標(biāo)準(zhǔn),支持5G(sub-6GHz和毫米波)的前端模組將占到2023年RF SiP市場(chǎng)總量的28%,。高端智能手機(jī)將貢獻(xiàn)射頻前端模組SiP組裝市場(chǎng)的43%,,其次是低端智能手機(jī)(35%)和奢華智能手機(jī)(13%),。

4G射頻前端SiP供應(yīng)鏈由少數(shù)幾家集成器件制造商(IDM)領(lǐng)導(dǎo),,如Qorvo、博通(Broadcom(Avago)),、Skyworks Solutions和村田(Murata),,它們將部分SiP組裝外包給OSAT廠商。高通(Qualcomm)逐漸成為5G解決方案射頻前端的重要供應(yīng)商,,尤其是5G毫米波(獲得了多家移動(dòng)OEM廠商的訂單),,并有望在未來保持主導(dǎo)地位,。事實(shí)上,高通是唯一一家能夠?yàn)?G提供完整解決方案的廠商,,包括調(diào)制解調(diào)器,、天線模塊和應(yīng)用處理器。高通作為一家無晶圓廠,,外包了所有SiP組裝,,這為OSAT廠商帶來了更多商機(jī)。

此外,,IDM廠商更加關(guān)注5G sub-6Ghz的射頻前端解決方案,,這些也需要封裝創(chuàng)新,如更緊密的元件布局,、雙面貼裝,、共形/劃區(qū)屏蔽、高精度/高速SMT等,。這些都需要投資新的設(shè)備和工藝,。Yole認(rèn)為,對(duì)組裝技術(shù)的高投入負(fù)擔(dān),,將促使廠商將業(yè)務(wù)更多地外包給OSAT廠商,。

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按蜂窩和連接標(biāo)準(zhǔn)細(xì)分的射頻前端模組SiP組裝市場(chǎng)


5G正在推動(dòng)射頻前端的封裝創(chuàng)新

智能手機(jī)中的4G LTE為前端模組以及濾波器組和分集接收模塊使用了多芯片SiP。SiP提供了所需要的小尺寸,、更短的信號(hào)路徑和更低的損耗,。4G LTE前端模組目前包括10-15顆芯片,利用倒裝芯片球焊或銅柱連接到有機(jī)基板(最多8個(gè)有機(jī)層或18個(gè)陶瓷層),,一些功率放大器仍然使用引線鍵合,。5G Sub-6GHz產(chǎn)品預(yù)計(jì)將利用改良的現(xiàn)有倒裝芯片SiP(如雙面FC封裝基板),采用相近的物料清單,,實(shí)現(xiàn)漸進(jìn)式創(chuàng)新,。隨著新架構(gòu)的引入,5G毫米波頻率帶來了突破性的封裝:扇出型晶圓級(jí)封裝(WLP)和玻璃基板中介層,,與具有低損耗電介質(zhì)的先進(jìn)有機(jī)基板倒裝芯片封裝競(jìng)爭,。

天線技術(shù)和布局是5G半導(dǎo)體系統(tǒng)最關(guān)鍵的挑戰(zhàn)之一。在毫米波頻率,,從半導(dǎo)體封裝到天線的長路徑代表著高損耗,,因此希望將天線集成到SiP中。更高的頻率需要更小的天線(mm而不是cm),,從占位面積來看,,這樣更容易集成到SiP中。不過,,目前單個(gè)天線必須與多個(gè)頻帶一起工作,,使得天線和附加電路變得更加復(fù)雜,。

為將天線元件與射頻組件集成用于5G移動(dòng)通信,提出了具有不同架構(gòu)的多種封裝解決方案,。由于成本和成熟的供應(yīng)鏈,,基于層壓基板的倒裝芯片率先被用于封裝天線(antenna-in-package, AiP),。扇出型WLP/PLP封裝得益于較高的信號(hào)性能,、低損耗和縮小的外形尺寸,是一種很有前景的AiP集成解決方案,,但它需要雙面重布線層(RDL),。除少數(shù)廠商,大部分OSAT尚未準(zhǔn)備好利用該技術(shù)大規(guī)模制造,。

此外,,電路需要屏蔽免受天線輻射,同時(shí)還要確保天線不被阻擋,,并且可以實(shí)現(xiàn)清晰的接收/傳輸,。與層壓基板一樣,陶瓷和玻璃也成為封裝基板材料的新選擇,。對(duì)于5G毫米波封裝基板材料的選擇,,必須在電氣特性、成本,、可加工性和供應(yīng)鏈準(zhǔn)備狀況等多方面做權(quán)衡,。由于成本和材料/組件供應(yīng)鏈的就緒狀況,有機(jī)層壓基板將率先應(yīng)用(伴隨有限的陶瓷應(yīng)用),,隨后是陶瓷和玻璃,。

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移動(dòng)射頻前端模組:2002~2022年及以后的封裝趨勢(shì)


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