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Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的30 V和40 V P溝道MOSFET,,有效提高板級可靠性

汽車級器件導通電阻低至4.4 mW,,采用業(yè)內(nèi)超薄鷗翼引線結構5 mm x 6 mm緊湊型PowerPAK® SO-8L封裝
2019-03-07
關鍵詞: Vishay AEC-Q101 MOSFET

  日前,,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,,推出新款30 V和40 V汽車級p溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP,,采用鷗翼引線結構PowerPAK? SO-8L封裝,,有效提升板級可靠性,。SQJ407EP和SQJ409EP通過AEC-Q101認證,,占位面積比DPAK封裝器件減小50%以上,,節(jié)省PCB空間并降低成本,同時導通電阻低于任何鷗翼引線結構5 mm x 6 mm封裝MOSFET,。

  由于需要很高功率,,12 V汽車系統(tǒng)馬達驅(qū)動和主電源要求MOSFET在各種應用中具有極低的導通電阻,如電池反向極性保護和高邊開關,。Vishay Siliconix -30 V SQJ407EP和-40 V SQJ409EP在10 V條件下,,導通電阻分別為4.4 mW和7.0 mW,,完全可以滿足這種要求,。此外,,作為p溝道MOSFET,,兩款器件是理想的負載開關,不需要電荷泵提供n溝道器件所需的正向柵壓,。

  日前發(fā)布的MOSFET工作溫度可達+175 °C,,同時鷗翼引線結構可緩解溫度循環(huán)過程中、主板彎曲,、振動和意外跌落產(chǎn)生的機械應力,,與剛性QFN封裝相比,具有更加優(yōu)異的板級可靠性,。鷗翼引線結構還有助于自動光學檢測 (AOI) 過程獲得更加一致可靠的結果,。

  器件采用無鉛 (Pb) 封裝、無鹵素,、符合RoHS標準,,經(jīng)過100 % Rg和UIS測試。

  SQJ407EP和SQJ409EP現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn),。

  VISHAY簡介

  Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1000 強企業(yè)”,,是全球分立半導體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器,、電感器,、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè),、計算,、汽車,、消費,、通信、國防,、航空航天,、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備,。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,,以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業(yè)界領先者,。有關Vishay的詳細信息,,敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。


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