存儲級內(nèi)存（SCM）克服了NAND閃存的局限性，因而勢必會取而代之,。

存儲級內(nèi)存（SCM）這種RAM能夠像NAND閃存那樣保保存其內(nèi)容,，但兼具DRAM的速度，最終將會取代閃存成為首選的高速存儲介質(zhì),。

這是HPE旗下3PAR存儲部門副總裁兼總經(jīng)理Ivan Iannaccone的預(yù)測,。不過他補(bǔ)充道,，這需要借以一段時日。

他說：“這不會在一夜之間發(fā)生,。SCM變得經(jīng)濟(jì)上可行只是時間問題,，但最終會取而代之。大概10年后吧,?！?/p>

就每字節(jié)成本而言，SCM比閃存貴四倍左右,。目前只有兩家供應(yīng)商生產(chǎn)SCM：英特爾和三星,。英特爾以O(shè)ptane品牌來銷售，面向企業(yè)客戶,，英特爾的Optane HPE將其用于其存儲陣列,。

三星的產(chǎn)品名為Z-SSD，現(xiàn)在專注于消費者,，計劃今年晚些時候向OEM廠商提供樣品,。據(jù)說東芝和西部數(shù)據(jù)也在開發(fā)各自的SCM產(chǎn)品。

除了取代NAND閃存外,，Iannaccone還認(rèn)為SCM使用的NVMe協(xié)議將取代目前存儲陣列中使用的SCSI/SAS接口,。他說：“實際上，NVMe是一種與內(nèi)存進(jìn)行聯(lián)系的極為精簡的方式,。存儲級內(nèi)存工作起來更像延遲更低的內(nèi)存,。”

由于閃存的固有設(shè)計,，存儲級內(nèi)存的延遲要低得多,。閃存存在性能問題和延遲的最主要原因之一是，為了滿足新寫入而使用的垃圾收集,。數(shù)據(jù)寫入到閃存驅(qū)動器時,，它無法覆蓋舊信息。它必須將一個新的數(shù)據(jù)塊寫入到別處,，以后等磁盤I/O處于呆滯時刪除舊文件,。

這就是閃存這種存儲介質(zhì)的行為方式，由于你總是在之前的寫入后進(jìn)行清理,，這導(dǎo)致了不穩(wěn)定問題,。

SCM比NAND閃存更快，但仍然很昂貴

由于能夠覆蓋文件,，寫入數(shù)據(jù)所花的時間要短得多，SCM是9ms,，而NAND是90ms至100ms,。此外,，也不存在存儲介質(zhì)的不可預(yù)測性，因為沒有后臺進(jìn)程在運行以優(yōu)化介質(zhì),。

英特爾出售的Optane有幾種格式參數(shù),。3PAR將其作為存儲陣列的PCI Express附加卡，而不是用在服務(wù)器中,。它們充當(dāng)存儲陣列SSD和服務(wù)器內(nèi)存之間的高速緩存,。增加大約3TB的SCM后，3PAR在Oracle基準(zhǔn)測試中實現(xiàn)性能提升了30%,，對陣列來說價格提升了5%,。

最終，Iannaccone認(rèn)為SCM能夠從物理位置分解出來,，充當(dāng)多個存儲陣列和與帶有SCM內(nèi)存的陣列通訊的所有其他陣列的緩存,。

他說：“SCM仍然相當(dāng)昂貴，這就是為什么我們將它用作一層高速緩存和建立緩存的智能算法,?！?/p>

隨著SCM的成本下降，成為一種更切實可行的閃存替代品,，使用場合會更多樣化,。對于大容量存儲而言，每GB字節(jié)成本很劃算,，但它又擁有高性能,，可以針對I/O優(yōu)化成本。