《電子技術(shù)應(yīng)用》
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車規(guī)級eGaN®FET使得激光雷達系統(tǒng)看到更清晰,、更高效,, 并且降低48 V車用功率系統(tǒng)的成本

2019-01-26

  宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)進一步擴大車規(guī)級氮化鎵產(chǎn)品系列 – 再多兩個產(chǎn)品成功通過國際汽車電子協(xié)會所制定的AEC Q101分立器件應(yīng)力測試認證。

  宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布再多兩個車用氮化鎵(eGaN)器件成功通過AEC Q101測試認證,,可在車用及其它嚴(yán)峻環(huán)境支持多種全新應(yīng)用,。EPC2206及EPC2212是采用晶圓級芯片規(guī)模封裝(WLCS) 、分別是80 VDS 和100 VDS的分立晶體管,。

  基于氮化鎵(eGaN)技術(shù)的產(chǎn)品已進行量產(chǎn)超過8年,,累計了數(shù)十億小時的實際汽車應(yīng)用經(jīng)驗,包括全自動駕駛汽車的激光雷達及雷達系統(tǒng),、應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心計算機的48 V–12 V DC/DC轉(zhuǎn)換器,、具有超高保真度的信息娛樂系統(tǒng)及高強度的貨車頭燈等應(yīng)用。這些全新器件已經(jīng)通過嚴(yán)格的AEC Q101測試認證,,隨后會推出更多面向嚴(yán)峻的車用環(huán)境的分立晶體管及集成電路,。

  EPC2206為80 V、2.2 m?增強型氮化鎵場效應(yīng)晶體管,,采用6.1 毫米x 2.3毫米芯片級封裝,,脈沖電流為390 A。EPC2212為100 V,、13.5 m?元件,,采用2.1 毫米x 1.6毫米芯片級封裝,脈沖電流為75 A,。與等效MOSFET相比,,這些氮化鎵場效應(yīng)晶體管的尺寸小很多,而且可實現(xiàn)的開關(guān)速度快10至100倍,。

  目前采用48 V總線配電系統(tǒng)的新型汽車,,由于配備了非常耗電的電動組件的功能和特性,例如電動啟停、電動轉(zhuǎn)向,、電動懸掛系統(tǒng)和變速空調(diào),,因此EPC2206是理想的功率管理元件。此外,,新興的全自動駕駛汽車,、額外的系統(tǒng)需求例如激光雷達、雷達,、相機和超聲波傳感器,,都增加對配電系統(tǒng)的整體需求,從而使汽車需要轉(zhuǎn)用48 V總線系統(tǒng),。而氮化鎵器件,,例如EPC2206,可以使得48 V總線系統(tǒng)的效率更高,,尺寸更小,、更輕型及成本更低。

  EPC2212非常適合在激光雷達(lidar)系統(tǒng)發(fā)射激光,,因為FET觸發(fā)激光信號,、產(chǎn)生大電流、極短脈寬,,從而實現(xiàn)更高的分辨率,,而更大脈沖電流使得激光雷達系統(tǒng)可以看到更遠的景物。這兩個特性,,加上小尺寸及低成本,,使得eGaN FET除了支持嚴(yán)峻的車用激光雷達系統(tǒng)外,也是雷達及超聲波傳感器的理想元件

  EPC公司的首席執(zhí)行官及共同創(chuàng)辦人Alex Lidow稱:“緊隨這兩個通過認證的車規(guī)級氮化鎵器件,,我們將恒?;瞥鲕囉镁w管及集成電路,以打造自動駕駛汽車的未來,、節(jié)省汽油的使用量及提高駕駛的安全性,。與目前車用、日益老化的硅基功率MOSFET相比,,基于eGaN技術(shù)的產(chǎn)品的開關(guān)更快速,、尺寸更小、效率更高,、成本更低及更可靠,。"。

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