本月初,，Intel發(fā)布了首款消費(fèi)級(jí)QLC固態(tài)硬盤——660p。

　　性能上達(dá)到主流M.2 NVMe的水準(zhǔn),，最高連續(xù)讀寫速度可達(dá)1800MB/s,。同時(shí)，價(jià)格相當(dāng)給力,，512GB賣99.99美元（約合683元）,。

　　不過，澳媒報(bào)道稱,，接近IMFlash閃存工廠（Intel/美光合資）的人士透露,，目前第一代64層QLC閃存的良率只有48%，也就是生產(chǎn)出來的成片過半報(bào)廢,。對(duì)比之下,，64層TLC閃存的良率已經(jīng)達(dá)到了90%以上。

　　這意味著,，4bit QLC看似容量密度提高了,，但實(shí)際成本是高于3bit TLC的。

　　更糟糕的是,，消息人士稱,，Intel/美光第一代QLC閃存糟糕的良率將伴隨整個(gè)生命期。

　　對(duì)于QLC閃存,，大家普遍關(guān)心的問題其實(shí)就兩個(gè),，一個(gè)是價(jià)格，一個(gè)就是可靠性,，英特爾發(fā)布的首款消費(fèi)級(jí)QLC硬盤660P的512GB版只要100美元,，1TB版也只要200美元，折合每GB價(jià)格才1.3元,，是目前最便宜的M.2 SSD,，這就是QLC顆粒的最大優(yōu)勢(shì)，通過提升密度來降低成本,，畢竟現(xiàn)在首發(fā)的QLC閃存核心容量就達(dá)到了1024Gb,，是TLC閃存的2-4倍。

　　可靠性方面，根據(jù)Intel官方給出的是0.1DWPD,，按照Intel自己的PE計(jì)算方式：0.1×365×5=182.5,，再考慮寫入放大的因子2~5，那么最終PE將會(huì)在365~912.5之間,，也符合之前說QLC顆粒PE次數(shù)在1000左右的說法,，200TB應(yīng)該是Intel比較保守的數(shù)值。

　　英特爾的660P硬盤的性能也沒什么挑剔的,，讀寫1800MB/s,，隨機(jī)讀寫220K IOPS，不算多高,，但也不算低,，在低價(jià)M.2硬盤中紙面性能是說得過去的。

　　從現(xiàn)在的情況來看,，首款上市的消費(fèi)級(jí)QLC硬盤不論性能,、可靠性還是售價(jià)都比當(dāng)初三星首發(fā)TLC閃存的硬盤時(shí)好很多，至少?zèng)]多少明顯的槽點(diǎn),。

　　不過在廠商這邊，QLC閃存的問題還沒有解決,，Tweaktown表示他們得到的消息稱英特爾64層堆棧的QLC閃存良率并不好,，目前只有48%，不到一半的晶圓核心可以用于制造SSD硬盤,，一半多的核心都要廢掉,。

　　這也意味著消費(fèi)者買到的QLC閃存硬盤雖然比TLC閃存硬盤更便宜，但在廠商這邊QLC閃存現(xiàn)在的成本是比TLC閃存還要高的,。

　　對(duì)于以上消息,，尚無其它報(bào)道形成佐證。這會(huì)否造成以660p為代表的初代QLC SSD延遲上市或者漲價(jià)還需要觀察,。