未來五年,，通信產(chǎn)業(yè)向5G時代的革命性轉(zhuǎn)變正在深刻重塑RF（射頻）技術產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀,。這不僅是針對智能手機市場，還包括3W應用RF通信基礎設施應用,，并且,，5G將為RF功率市場的化合物半導體技術帶來重大市場機遇。

未來幾年,，據(jù)Yole最新發(fā)布的《RF功率市場和技術趨勢-2017版》報告預計,，隨著電信基站升級和小型基站部署的需求增長，RF功率市場將獲得強勁增長,。2016~2022年期間,，整體RF功率市場營收或?qū)⒃鲩L75%，帶來9.8%的復合年增長率,。這意味著市場營收規(guī)模將從2016年的15億美元增長至2022年的25億美元,。

我們現(xiàn)在正處于4G網(wǎng)絡成熟，并向5G網(wǎng)絡過渡的臨界點,，還有很多有待解決的地方,，但是可以確定的是：新的無線電網(wǎng)絡將需要更多的器件和更高的頻率。因此將會為芯片供應商帶來巨大的商機,，尤其是RF功率半導體銷售商,。我們預計包括基站和無線回程在內(nèi)的電信基礎設施市場，將占據(jù)整體市場的半壁江山,。2016~2022年期間,，基站市場預計將以12.5%的復合年增長率持續(xù)快速增長，而電信回程市場的復合年增長率預計將為5.3%,。

基站市場和總體RF基礎設施市場的增長伴隨著重要的技術轉(zhuǎn)變,。3.5GHz以上所有宏基站部署將看到GaN逐步取代LDMOS（橫向擴散金屬氧化物半導體），同時,，GaAs也將從小型基站網(wǎng)絡的需求增長中受益,。在未來的網(wǎng)絡設計中，將采用載波聚合和大規(guī)模輸入輸出（MIMO）等新技術，GaN將憑借其高效率和高寬帶性能,，相比現(xiàn)有的LDMOS處于更有利的位置,。2022年，GaN RF器件的市場營收預計將達到11億美元,，約占整個RF 功率市場的45%,。

從LDMOS和GaAs向GaN和GaAs的技術轉(zhuǎn)變，正在影響產(chǎn)業(yè)供應鏈,。目前領先的RF功率廠商也是LDMOS領域的領導者,，不過， GaN器件的市場滲透,，正快速改變這一現(xiàn)狀,。大部分領先的GaN廠商都是來自GaAs產(chǎn)業(yè)。市場上僅興起了一家純GaN廠商,，那便是Wolfspeed,。同時,，LDMOS廠商正通過利用外部代工廠進入GaN市場,，不過，這需要一定的時間和努力,。Infineon（英飛凌）意圖對Wolfspeed的收購是極具遠見的一步好棋,，本來或能確保英飛凌在未來的RF功率市場以及GaN功率電子市場獲得有利的競爭地位。不過,，這筆交易最終因為美國政府的阻撓而被迫終止,。

隨著市場的快速發(fā)展，專利訴訟也逐漸開始,。M/A-COM就硅上氮化鎵（GaN-on-silicon）技術針對Infineon發(fā)起了專利訴訟,，這在去年引起了產(chǎn)業(yè)轟動，也預示著GaN技術的戰(zhàn)略重要性,。

除了電信基礎設施市場,，國防市場也正在穩(wěn)定增長，GaN和 GaAs固態(tài)器件正逐步取代老舊的真空管技術,。新設計大多采用GaN技術,。大部分其它應用和相關市場則相對較小，除了“RF能量”市場,，它包括無線充電技術,，其巨大的市場潛力或能挽救LDMOS技術。Yole預計到2022年,，RF能量應用市場將達到1.7億美元,，帶來驚人的93%的復合年增長率。并且這還僅僅是開始，因為會有越來越多的電動汽車采用無線充電技術,，使無線充電技術在未來10~15年獲得大規(guī)模應用,。該市場將主要采用LDMOS技術，這將幫助大部分現(xiàn)有LDMOS應用硅基RF器件制造商向GaN技術轉(zhuǎn)變,。

未來五年,，市場的重大轉(zhuǎn)變伴隨著更重要的技術轉(zhuǎn)變，讓我們一起期待RF功率市場的新動向,！