近日，據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)，2018年NAND Flash行業(yè)的資本支出（CAPEX）將比預(yù)期產(chǎn)量增加40%以上,，從2017年的220億美元增至2018年的310億美元,，屬于近8年來的最大增幅。

　　其中,，3D NAND的市場需求,，成為驅(qū)動(dòng)NAND閃存資本支出激增的主要因素之一。3D NAND閃存技術(shù)采用堆疊的方式處理設(shè)備層關(guān)系,，可以使得每顆芯片的儲(chǔ)存容量增加,，從而實(shí)現(xiàn)更大的結(jié)構(gòu)和單元間隔，利于增加產(chǎn)品的耐用性,、降低生產(chǎn)成本,。因此深受NAND閃存廠商的追捧，目前已成為NAND閃存廠商的主攻方向,。

　　首先,，我們需要先理解一個(gè)概念：資本性支出（CAPEX）。大量的CAPEX通常預(yù)示著有新的項(xiàng)目即將開始,，生產(chǎn)和銷售上都會(huì)出現(xiàn)巨大增長,。與運(yùn)營投資相反，CAPEX項(xiàng)目運(yùn)行期間公司需要一直投錢,，以此孕育未來的長期收益,。因此，2018年NAND Flash行業(yè)的資本支出實(shí)現(xiàn)8年以來的最大增幅,，表面了全球存儲(chǔ)器廠商對(duì)閃存市場的持續(xù)看好與積極投入,，NAND Flash市場有望被全面打開。

　　到底是哪些芯片廠商全面看好NAND閃存,，正大刀闊斧地加碼3D NAND閃存產(chǎn)能,？

　　一方面，國際閃存大廠的3D NAND堆疊大戰(zhàn)正在如火如荼地進(jìn)行中,。今年6月下旬,，美光公布了2018財(cái)年第三季度的結(jié)果，同時(shí)也公布未來的發(fā)展方向,，預(yù)告在2018年下半年96層3D NAND技術(shù)將會(huì)開始批量出貨,，可進(jìn)一步增加每個(gè)芯片的儲(chǔ)存容量，從而能夠打造出更小,，更節(jié)能的設(shè)備,。兩周后，三星也高調(diào)宣布已開始量產(chǎn)第五代3D NAND閃存顆粒，層疊層數(shù)為96層,，產(chǎn)能得到30%的提升,。同時(shí)，根據(jù)消息人士透露,，三星今年投資在NAND Flash閃存上的資本支出預(yù)計(jì)是64億美元,，2019年更是會(huì)提高到90億美元。

　　美光,、三星釋放信號(hào)僅是個(gè)開端,，SK海力士、Intel,、東芝,、西數(shù)/閃迪等都表態(tài)在幾年內(nèi)將持續(xù)擴(kuò)充閃存產(chǎn)能，為跨入96層,、甚至更高層數(shù)而加大投入力度,。可見,，3D NAND閃存已經(jīng)成為國際存儲(chǔ)器廠商間的“主戰(zhàn)場”,。

　　另一方面，以長江存儲(chǔ)為代表的中國存儲(chǔ)器廠商,，也加快了項(xiàng)目進(jìn)展的步伐,。據(jù)公開資料顯示，由長江存儲(chǔ)主導(dǎo)的國家存儲(chǔ)器基地已于2018年4月11日,，正式進(jìn)場安裝生產(chǎn)設(shè)備,。同時(shí)，專注于行動(dòng)式內(nèi)存的合肥長鑫,，以及晉華集成的試產(chǎn)時(shí)間也調(diào)快至2018年下半年,。可以說,，2018年或?qū)⒊蔀橹袊鎯?chǔ)器的生產(chǎn)元年,。

　　當(dāng)然，全球的NAND閃存資本支出大增,，只能印證NAND閃存行業(yè)投資景氣的上升,，今后存儲(chǔ)器的市場表現(xiàn)如何，還需要時(shí)間來證明,。畢竟在存儲(chǔ)器市場的歷史先例里,，過多的資本支出通常會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)能過剩和定價(jià)疲軟，投資風(fēng)險(xiǎn)還是存在的,。

　　因此,，思考當(dāng)前取得的競爭優(yōu)勢(shì),，當(dāng)前的技術(shù)還有哪些用武之地，以及今后的發(fā)展方向,，為下一次發(fā)展奠定基礎(chǔ)。這對(duì)國產(chǎn)存儲(chǔ)器廠商來說,，仍然具有深遠(yuǎn)意義,。