在臺(tái)積電2018技術(shù)研討會(huì)上,，臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁B．J． Woo博士介紹了移動(dòng)應(yīng)用和HPC計(jì)算領(lǐng)域的市場趨勢(shì)，并分享了臺(tái)積電在這兩個(gè)細(xì)分市場技術(shù)服務(wù)方面取得的突破性進(jìn)展,。
5G和AI是兩個(gè)雙位數(shù)據(jù)增長的領(lǐng)域,，將成為接下來的主流市場。對(duì)于移動(dòng)領(lǐng)域而言,，從4G LTE向5G的轉(zhuǎn)變需要更高的調(diào)制解調(diào)速度（從1Gbps到10Gbps）,，CPU速度提高50％，GPU速度提高兩倍,，雙晶體管密度提高3倍,，AI引擎性能提高至3 TOPS每秒，并且沒有太多的功耗增加,。在這個(gè)細(xì)分市場上,，臺(tái)積電正在迎來從28HPC ＋向16FFC的轉(zhuǎn)變。
在云端,，隨著計(jì)算需求向網(wǎng)絡(luò)邊緣移動(dòng),，數(shù)據(jù)中心交換機(jī)吞吐量需要從12．8Tbps增長到25．6Tbps。同樣地,，雙內(nèi)存帶寬,，3到4倍的AI加速器吞吐量和4倍的晶體管密度正在到來。
7納米技術(shù)進(jìn)展
Woo博士表示,，提供高密度和功率要求以滿足數(shù)據(jù)密集型AI應(yīng)用的低延遲是臺(tái)積電10納米工藝成功的關(guān)鍵,。7納米節(jié)點(diǎn)在提供出色的PPA值方面取得了良好的進(jìn)展，密度提高超過 3倍,，速度增益超過 35％,，功耗降低超過65％,。
N7 HPC通道速度超過N7 移動(dòng)（7．5T vs 6T），速度提高13％,，并通過良率和質(zhì)量測試,。部分原因是臺(tái)積電成功利用了N10 D0的杠桿學(xué)習(xí)，并將其作為Fab15的目標(biāo),。
N7 IP生態(tài)系統(tǒng)也處于準(zhǔn)備就緒狀態(tài),，預(yù)計(jì)到2018年底，移動(dòng),、高性能計(jì)算、汽車和服務(wù)器將會(huì)有超過50個(gè)版本,。預(yù)計(jì)7nm技術(shù)具有與其前代28nm ／ 16nm節(jié)點(diǎn)類似的長壽命,。從浸入到EUV縮放和更密集的標(biāo)準(zhǔn)單元架構(gòu)的遷移組合使整體顯著提升。
EUV采用和N7 ＋流程節(jié)點(diǎn)
Woo博士分享了N7 ＋上EUV應(yīng)用程序的一些進(jìn)展,。EUV適用于選定的圖層,，降低了工藝復(fù)雜性并增強(qiáng)了圖案的保真度。它還支持未來的技術(shù)擴(kuò)展,，同時(shí)提供更好的性能,、良率和更短的周期時(shí)間。Woo博士表示,，N7 ＋ EUV與N7 ＋浸入式相比具有更緊密分布的通孔電阻字樣,，因?yàn)樗哂懈玫木鶆蛐浴?/p>
N7 ＋的價(jià)值主張包括在N7上提供20％以上的邏輯密度，在相同速度下降低10％的功耗,，并且對(duì)客戶的持續(xù)合作項(xiàng)目預(yù)計(jì)會(huì)有額外的性能提升,。
N7 ＋在N7節(jié)點(diǎn)上也將有兩位數(shù)的良好增長，因?yàn)樗孟嗤脑O(shè)備和工具來獲得牽引力,。Woo博士聲稱,，N7 ＋比其他代工廠的缺陷密度更低，以及與N7基準(zhǔn)相當(dāng)?shù)?56Mb SRAM產(chǎn)量和器件性能,。臺(tái)積電提供從N7到N7 ＋的簡單IP移植,，以便那些不需要重新設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)實(shí)體。
HPC和N7 ＋過程節(jié)點(diǎn)
對(duì)于HPC平臺(tái)解決方案,，從N7向N7 ＋的轉(zhuǎn)變涉及到EUV,，更密集的標(biāo)準(zhǔn)單元架構(gòu)，超低Vt晶體管,，高性能單元,，超高密度MIM電容和更大的CPP。
N7 ＋通過使用創(chuàng)新的標(biāo)準(zhǔn)單元架構(gòu)提供更好的性能和功耗,。它可以在相同的面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的散熱片密度,。另一方面，通過在非時(shí)序關(guān)鍵區(qū)域應(yīng)用單鰭片來降低功耗，可以減少大約20％的電容,，并減少動(dòng)態(tài)功率數(shù)量,。
采用新結(jié)構(gòu)還可以提高M(jìn)IM電容和HPC 3％至5％的利用率。N7 ＋設(shè)計(jì)套件已準(zhǔn)備好支持IP生態(tài)系統(tǒng),。
N5價(jià)值定位
N5具有新的elVt（極低Vt）,，與N7相比，最大加速速度提高了25％,，采用了積極的縮放和全面的EUV,。 N5在256Mb SRAM上取得了兩位數(shù)的良好進(jìn)展。風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)預(yù)計(jì)為2019年上半年,。
與N7流程（使用ARM A72 CPU內(nèi)核＋內(nèi)部環(huán)形振蕩器）相比,，Woo博士還分享了一些指標(biāo)：
－ 速度提高15％（最高速度達(dá)25％）
－ 功率減少30％
－ 通過創(chuàng)新的布局和布線提高了1．8倍的邏輯密度
－ 通過poly pitch縮小和選擇性Lg和fin提高1．3倍模擬密度，產(chǎn)生更加結(jié)構(gòu)化的布局
16FFC ／ 12FFC技術(shù)
Woo博士最后談到了射頻技術(shù)和路線圖,。她提到基于N16和N12 FinFet的平臺(tái)技術(shù)覆蓋廣泛,，涉及HPC、移動(dòng),、消費(fèi)者和汽車,。16FFC和12FFC都表現(xiàn)出強(qiáng)大的采用數(shù)據(jù)，超過220個(gè)帶,。 12FFC相較于16FFC,，通過雙螺距BEOL、設(shè)備boost,、6道stdcell庫和0．5V VCCmin實(shí)現(xiàn)10％的速度增益,、20％的功率減少和20％的邏輯密度增加。