近期NAND Flash市場呈現(xiàn)低緩，業(yè)界認為,，第1季本來就是傳統(tǒng)淡季,，加上去年價格實在漲太多，所以從去年12月到今年第1季的報價跌得兇,。不過市場庫存正在消化,，第2季將逐漸增溫，雖然仍有變數(shù),，但已有開始慢慢追貨的跡象,，第3季后預期仍將迎來旺季。

研調(diào)機構(gòu)集邦科技表示,，NAND Flash市場第1季呈現(xiàn)供過于求,，盡管第2季隨工作天數(shù)回復后，需求將有所增長,，但成長力道仍偏弱,，預期將維持小幅供過于求態(tài)勢，價格方面也持續(xù)走跌,。

在美掛牌的NAND Flash控制芯片廠慧榮總經(jīng)理茍嘉章也說,，上半年NAND Flash供過于求,，到第2季價格仍呈現(xiàn)緩步下滑，不過到了下半年,，因為多家新款手機的儲存容量將加大到128GB,，會帶動大量需求，整體市況可能轉(zhuǎn)為吃緊,，但還不至于會缺貨,。后續(xù)還要觀察傳統(tǒng)HDD硬碟有多少會被固態(tài)硬碟（SSD）取代。整體而言,，NAND Flash未來成長動能仍驚人,。

茍嘉章并提到,，64層與72層的NAND Flash產(chǎn)能逐漸開始大量開出,，狀況還算健康，后續(xù)96層NAND與QLC NAND推出后,，預期將帶動另一波降價情形,。

針對下半年的情況，集邦認為,，從需求面來看,，會有旺季效應，通路市場隨著價格下修而出現(xiàn)復蘇態(tài)勢,，還有智慧型手機搭載容量持續(xù)提升等因素帶動,，位元需求成長表現(xiàn)穩(wěn)健。從供給面來看,，因應上半年市場走勢,，部分供應商減緩擴產(chǎn)速度，下世代的9x層NAND Flash制程要到2019年才會有較具規(guī)模出貨,，對今年的供給影響有限,。

另外，目前關(guān)于NAND Flash市場,，外界除了關(guān)注制程提升的進展,，也相當留意對岸長江存儲的發(fā)展情況。某記憶體業(yè)界高層指出,，對于中國廠商來說,，切入DRAM領域是項挑戰(zhàn)，相關(guān)發(fā)展需要專利,，因此目前還沒有看到完整的布局計畫,，尤其有大廠緊盯，若陸廠有產(chǎn)出,，可能就會挨告,。但中國的自制NAND Flash一定會起來,，只是時間早晚問題，長江存儲未來勢必會在市場上占有一席之地,。集邦則提到,，外界關(guān)注長江存儲的產(chǎn)能，預計2019年起才會較具規(guī)模,。

相較于NAND Flash市況下探,，DRAM產(chǎn)業(yè)目前仍供需穩(wěn)健，業(yè)界評估到第3季前,，整體市況大概都能維持良好態(tài)勢,，而且只要韓廠的擴產(chǎn)幅度落在預期范圍內(nèi)，后續(xù)市況仍能保持穩(wěn)定,，波動不會太大,。

從供給面而言，DRAM廠南亞科指出,，上半年各廠商投片量持平,，市況維持供不應求，下半年起投片量增加,，要持續(xù)觀察產(chǎn)能增加情況,。

另外，從需求端來說,，南亞科認為,，第2、3季需求仍會穩(wěn)定成長,。若細分各應用,，手機方面自世界行動通訊大會（MWC）之后，各大手機推出旗艦新機種,，增強人工智慧及照相功能,，安卓（Android）旗艦機種主推6GB規(guī)格，可望帶動下半年整體需求穩(wěn)健,。

同時,，針對需求暢旺的伺服器應用，南亞科表示,，大型數(shù)據(jù)中心需求持續(xù)強勁,，英特爾的Purley平臺帶動換機及搭載量，后續(xù)人工智慧,、大數(shù)據(jù)及邊緣運算將持續(xù)挹注成長,。

PC方面，南亞科提到，電競機種需求穩(wěn)健成長,，消費機種在北美市場呈現(xiàn)回溫趨勢,。消費性電子產(chǎn)品如機上盒，平均DRAM搭載量由0.5GB提升至0.9GB,，智慧音箱高階機種的搭載量約達1GB至2GB,，而游戲機的搭載量也依照機種不同，增加為4GB至12GB不等,。

至于挖礦應用,，南亞科強調(diào)，比特幣相關(guān)使用量占整體DRAM需求量的比重仍少,。