DRAM、NAND型快閃存儲近來報價走勢超優(yōu)，科技市調(diào)機構(gòu)IC Insights為此決定將今(2018)年的全球IC市場成長預(yù)估值拉高近一倍,，從原本的8%一口氣上修至15%。
IC Insights 14日發(fā)表研究報告指出,，今年DRAM均價遠(yuǎn)優(yōu)于預(yù)期，估計將較去年跳增36%,，延續(xù)去年大漲81%的上升走勢,，而去年均價跳漲45%的NAND，今年報價也有望續(xù)增10%,。相較之下,，DRAM、NAND今年的位元出貨量成長率則只將達(dá)到1%,、6%,。
基于上述預(yù)測，IC Insights認(rèn)為,，今年DRAM的全球市場規(guī)模有望成長37%,，遠(yuǎn)優(yōu)于先前估計的13%，而NAND則將成長17%,、也高于先前估計的10%,。
報告稱，2018年DRAM市場的整體規(guī)模預(yù)料會達(dá)到996億美元,，比NAND的621億美元大幅超出375億美元,，成為IC業(yè)界規(guī)模最大的產(chǎn)品類別。從該機構(gòu)制作的圖表可以看出(見左圖),，過去五年來,，DRAM已成為左右全球IC成長的關(guān)鍵因素。
美國存儲大廠美光(Micron Technology)受惠DRAM報價看俏,、NAND型快閃存儲毛利增加,，去年股價狂飆87.57%后,，今年以來又續(xù)漲45.38%,。
barron`s.com、CNBC,、路透社等外電報導(dǎo),，Nomura Instinet分析師Romit Shah 3月12日發(fā)表研究報告指出，年初以來，存儲報價僅下滑3%,，跌幅遠(yuǎn)不如過去三年的Q1平均跌幅(10~20%),，預(yù)估未來六個月報價有望上揚10%。研究顯示,，供應(yīng)商應(yīng)該會在Q2,、Q3開始漲價，跟市場原本預(yù)測的「未來四季報價每季會跌5-6%」大相徑庭,。
Shah認(rèn)為,，美光股價順利突破3-4個月的盤整期，目前正處于另一波大漲行情的初始階段,。他提出了幾項對美光有利的因素,，當(dāng)中包括DRAM報價有望自第2季起恢復(fù)揚升走勢、公司將在5月首度宣布股利發(fā)放和庫藏股計劃,、NAND的毛利率持續(xù)擴張,，以及有關(guān)整并的討論增多等。
DRAM缺貨一整年價格逐季漲
全球最大存儲廠韓國三星電子正在進行半導(dǎo)體產(chǎn)能大挪移,，以提升產(chǎn)能運用效率,，三星雖然決定在韓國華城Line 17及平澤Line 18擴大先進制程DRAM產(chǎn)能，但三星同時卻將華城Line 11及Line 13的舊制程DRAM產(chǎn)能,，移轉(zhuǎn)生產(chǎn)CMOS影像感測器,，有意擠下日本索尼、搶占CMOS影像感測器龍頭寶座,。
業(yè)界認(rèn)為,，三星在增加DRAM新制程產(chǎn)能之際，同時縮減舊制程產(chǎn)能,，總投片量今年及明年都不會增加太多,，只利用制程轉(zhuǎn)換至1y/1z納米來提高位元出貨成長率。由此來看,，DRAM市場今年恐將缺貨一整年,，價格逐季調(diào)漲已無可避免。
業(yè)界指出,，今年總投片量增加幅度十分有限,，DRAM價格3月見到明顯漲勢，季度漲幅可望上看5～10％,，優(yōu)于先前預(yù)期的5％,，第二季價格可望再續(xù)漲5～10％。法人看好南亞科（2408）,、華邦電（2344）,、威剛（3260）將直接受惠,。
根據(jù)韓國外電報導(dǎo)，韓系存儲廠三星以及SK海力士已調(diào)漲第一季DRAM報價,，漲幅約達(dá)5～10％,，包括標(biāo)準(zhǔn)型、伺服器,、利基型,、行動式等DRAM價格都全面上漲。
第一季是傳統(tǒng)淡季,，DRAM價格在淡季調(diào)漲,，代表市場供不應(yīng)求情況未獲紓解，其中又以伺服器DRAM缺貨最為嚴(yán)重,。
業(yè)界人士透露,，資料中心需求強勁，搭載的伺服器DRAM價格比智慧型手機采用的行動式DRAM高出2成,，所以三大DRAM廠上半年產(chǎn)能都移轉(zhuǎn)到伺服器DRAM,。標(biāo)準(zhǔn)型PC DRAM則在英特爾、超微的新平臺推出后,，帶動需要搭載8GB以上高容量DRAM的電競PC熱賣,，PC DRAM需求強勁且價格持續(xù)上漲，目前價格幾乎是去年同期的2倍,。
為解決DRAM缺貨問題,，龍頭大廠三星已宣布擴產(chǎn)計畫。三星將利用位于韓國平澤Line 18的2樓空間擴增DRAM產(chǎn)能,，設(shè)備已完成裝機并準(zhǔn)備啟動生產(chǎn),，華城Line 17的部份產(chǎn)線也由NAND Flash轉(zhuǎn)為生產(chǎn)DRAM，下半年將啟動生產(chǎn),。三星的擴產(chǎn)計畫一度讓市場擔(dān)憂DRAM市場好日子是不是快過去了,，但事實上，三星卻同時縮減舊制程DRAM產(chǎn)能,。
外電報導(dǎo)指出,，三星已將原本用來生產(chǎn)DRAM的華城Line 11舊制程生產(chǎn)線，在去年底改為生產(chǎn)CMOS影像感測器,，預(yù)計今年底改裝完畢,，隨后華城Line 13舊制程DRAM生產(chǎn)線也會跟著移轉(zhuǎn)成為CMOS影像感測器生產(chǎn)線。而值得注意之處,，在于三星的CMOS影像感測器將用來投產(chǎn)堆疊DRAM及類比邏輯芯片的三層（3-layer stacked）影像感測器,。