近日,，納米電子與數字技術研發(fā)創(chuàng)新中心imec與楷登電子（美國Cadence公司）今日聯合宣布，得益于雙方的長期深入合作,，業(yè)界首款3nm測試芯片成功流片,。該項目采用極紫外光刻（EUV）技術，193浸沒式（193i）光刻技術設計規(guī)則,，以及Cadence?Innovus?設計實現系統和Genus?綜合解決方案,，旨在實現更為先進的3nm芯片設計。

Imec為測試芯片選擇了業(yè)界通用的64-bitCPU,，并采用定制3nm標準單元庫及TRIM金屬的流程,，將繞線的中心間距縮短至21nm。Cadence與imec攜手助力3nm制程工藝流程的完整驗證,，為新一代設計創(chuàng)新保駕護航,。

CadenceInnovus設計實現系統是大規(guī)模的并行物理實現系統，幫助工程師交付高質量設計,，在滿足功耗,、性能和面積（PPA）目標的同時縮短產品上市時間。CadenceGenus綜合解決方案是新一代高容量RTL綜合及物理綜合引擎,，滿足最新FinFET工藝的節(jié)點需求,，并將RTL設計效率提高達10倍。

項目期間,，EUV技術及193i光刻規(guī)則皆經過測試,，以滿足所需分辨率；并在兩種不同的圖案化假設下比較了PPA目標,。

“隨著芯片制程工藝深入到3nm節(jié)點,，互連參數顯得愈加關鍵，“imec半導體技術與系統事業(yè)部執(zhí)行副總裁AnSteegan表示,?！蔽覀冊跍y試芯片上投入了大量精力，助力互連參數的可測量和優(yōu)化,，以及3nm制程工藝的驗證,。

同時，Cadence數字解決方案也讓3nm工藝的實現萬事俱備。Cadence完美集成的工作流讓該解決方案的采納更加簡單,，幫助我們的工程設計團隊在開發(fā)3nm規(guī)則集的時候保持高效,。”

“Imec領先的基礎設施讓生產前創(chuàng)新領先于業(yè)界需求成為可能,，是EDA行業(yè)的關鍵合作伙伴,，“Cadence公司全球副總裁兼數字與簽核事業(yè)部總經理Chin-chiTeng博士表示?！拔覀兣cimec的合作在2015年成功流片業(yè)界首款5nm芯片的基礎上繼續(xù)深化,，此次3nm測試芯片的成功流片標志著全新的里程碑，繼續(xù)引領未來先進節(jié)點移動設計領域的變革,?！?/p>