紫光國芯周一在全景網(wǎng)投資者互動平臺上回答投資者提問時介紹,，DDR4與DDR3相比，單條容量有很大提高,，可以實現(xiàn)較高的容量,。另外，頻率和帶寬都有明顯提高,。工藝的提高也會降低工作電壓,，有利于更低的功耗。
同時,，關(guān)于公司在國內(nèi)業(yè)界,、排名情況，紫光國芯介紹,，公司的DRAM芯片設(shè)計技術(shù)處于世界先進水平,，國內(nèi)稀缺，但目前產(chǎn)品產(chǎn)量很小,，市場份額不大,。
針對投資者關(guān)于公司DDR4存儲器芯片相比DDR3優(yōu)勢的詢問，紫光國芯作出上述回應(yīng)。
1月26日紫光國芯在互動平臺表示,，公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設(shè)計,，目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶圓的制造能力,，公司會考慮與其合作,。
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