臺積電為了打贏7納米制程之戰(zhàn),，在各方面積極布局,，日前合作伙伴新思科技(Synopsys)針對7納米制程成功完成DesignWare基礎(chǔ)和介面PHY IP組合的投片,，與16FF+制程相比,，臺積電的7納米制程能降低功耗達(dá)60%，并提升35%的效能,。

臺積電的7納米制程是非常重要的一個世代,，不同于10納米制程偏向過度性質(zhì),，7納米不但是長壽制程,，且瞄準(zhǔn)未來潛力無限的高速運算(HPC)市場,，且會是和三星電子(Samsung Electronics)一較高下的一個技術(shù)里程碑。

新思表示,，針對臺積公司7納米制程技術(shù)已成功完成的DesignWare基礎(chǔ)及介面PHY IP組合的投片包括邏輯庫,、嵌入式存儲器,、嵌入式測試及修復(fù),、USB 3.1/2.0,、USB-C 3.1/DisplayPort 1.4、DDR4/3,、MIPI D-PHY,、PCIE 4.0/3.1、以太網(wǎng)絡(luò)和SATA 6G,。

而其他DesignWare IP包括LPDDR4x,、HBM2、MIPI-PHY預(yù)計于2017年完成投片,。

再者,，新思指出，用于臺積電7納米制程的DesignWare基礎(chǔ)及介面IP組合已經(jīng)問世,，STAR存儲器系統(tǒng)解決方案已可用于所有臺積電的制程技術(shù),。

新思表示，臺積電的7納米制程能讓設(shè)計人員降低功耗達(dá)60%,，以及提升35%效能,，借由提供針對臺積電最新7納米制程的IP組合，新思可達(dá)到移動裝置,、車用電子,、高效運算應(yīng)用在功耗及效能上的要求。

臺積電設(shè)計基礎(chǔ)架構(gòu)行銷事業(yè)部資深協(xié)理Suk Lee表示,，針對臺積電的7納米制程上,，新思成功完成DesignWare基礎(chǔ)及介面IP組合的投片，顯示新思在IP領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位,，其開發(fā)的IP能協(xié)助雙方客戶達(dá)到在功耗,、效能、芯片面積的提升,。