臺(tái)積電今天宣布,，計(jì)劃聯(lián)合ARM、Xilinx,、Cadence,，共同打造全球首個(gè)基于7nm工藝的芯片,。

更確切地說，這四家半導(dǎo)體大廠將采用臺(tái)積電7nm FinFET工藝,，制造一款CCIX(緩存一致性互聯(lián)加速器)測(cè)試芯片,，2018年第一季度完成流片。

該芯片一方面用來試驗(yàn)臺(tái)積電的新工藝,，另一方面則可以驗(yàn)證多核心ARM CPU通過一致性互連通道與片外FPGA加速器協(xié)作的能力,。

這款測(cè)試芯片基于ARMv8.2計(jì)算核心,，擁有DynamIQ、CMN-600互連總線,，可支持異構(gòu)多核心CPU,。

Cadence則提供CCIX、DDR4內(nèi)存控制器,、PCI-E 3.0/4.0總線,、外圍總線等IP，并負(fù)責(zé)驗(yàn)證和部署流程,。

7nm將是臺(tái)積電的一個(gè)重要節(jié)點(diǎn)(10nm僅針對(duì)手機(jī)),，可滿足從高性能到低功耗的各種應(yīng)用領(lǐng)域，第一個(gè)版本CLN 7FF保證可將功耗降低60％,、核心面積縮小70％,，2019年則退出更高級(jí)的CLN 7FF+版本，融入EUV極紫外光刻,，進(jìn)一步提升晶體管集成度,、能效和良品率。