隨著5G技術(shù)逐漸成熟,，帶給射頻前端(RF Front End)晶片市場商機(jī)，未來射頻功率放大器(RF PA)需求將持續(xù)成長,，其中傳統(tǒng)金屬氧化半導(dǎo)體(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,，LDMOS,；LDMOS具備低成本和大功率性能優(yōu)勢)制程逐步被氮化鎵(Gallium Nitride,，GaN)取代，尤其在5G技術(shù)下需要支援更多元件,、更高頻率,，另砷化鎵(GaAs)則相對穩(wěn)定成長。透過導(dǎo)入新的射頻技術(shù),，RF PA將以新的制程技術(shù)實現(xiàn),，其中GaN的RF PA將成為輸出功率3W以上的主流制程技術(shù)，LDMOS市占率則逐漸降低,。

1. 隨著5G技術(shù)成熟,，射頻功率放大器市場具商機(jī)

5G技術(shù)涵蓋毫米波頻率和大規(guī)模MIMO(Multi-Input Multi-Output)天線運(yùn)用，以實現(xiàn)5G無線整合及架構(gòu)上的突破,，未來如何大規(guī)模采用Massive-MIMO及毫米波(mmWave)回程系統(tǒng)將是發(fā)展關(guān)鍵,。由于5G頻率高，因此對于高功率,、高性能,、高密度的射頻元件需求增加，其中氮化鎵(GaN)符合其條件,，即GaN市場具有潛在商機(jī),。

射頻前端晶片市場主要分為兩大類，一為使用MEMS(Microelectromechanical Systems)制程制造的濾波器,，以聲表面波濾波器(Surface Acoustic Wave,，SAW)和體聲波濾波器(Bulk Acoustic Wave，BAW)為主,；二為使用半導(dǎo)體制程制造的電路晶片,，以功率放大器(PA)和開關(guān)電路(Switch)為主。

過去GaN主要應(yīng)用在高功率或長距離傳輸訊號領(lǐng)域,，包括基地臺收發(fā)器(Base Station Subsystem,，BTS)、雷達(dá),、電子戰(zhàn)(Electronic Warfare,，EW)、衛(wèi)星通訊等,。而GaN技術(shù)發(fā)展最大挑戰(zhàn)在于成本,，也因此影響其發(fā)展速度，然隨著技術(shù)不斷演進(jìn),，GaN成本在大廠投入下有下降趨勢,。目前投入射頻功率放大器業(yè)者眾多,，包括NXP,、Qorvo,、Ampleon、Infineon,、Sumitomo,、Analog Devices、M-A/COM,、Wolfspeed,、UMS等。

2. GaN PA在5G發(fā)展下成為超高頻通訊應(yīng)用首選

電信基地臺設(shè)備升級與小型基地臺之建置,，為推動射頻功率放大器市場規(guī)模成長動能之一,，其中功率放大器(其功能為將無線訊號從基地臺發(fā)射出去)占基地臺成本比重約25～30%，具舉足輕重角色,，業(yè)者無不積極提升PA性能,，使PA輸出功率最大化，同時獲得最佳線性度和效率,。

2016年全球RF PA市場規(guī)模達(dá)15億美元,，預(yù)估至2022年整體市場規(guī)模將為25億美元，復(fù)合年增率(Compound Annual Growth Rate,，CAGR)為10%,。隨著未來對更高頻段需求，以5G為例,，相較于4G中最高支援5個20MHz的載波聚合,，5G載波聚合的數(shù)量可能高達(dá)32或64個，這對射頻廠商而言,，技術(shù)設(shè)計挑戰(zhàn)性更大,。

由于GaN功率放大器支援更高頻寬與頻率(已能處理50GHz或以上的毫米波頻率)，盡管在考量成本因素下,，采用LDMOS基地臺需求仍不少,，但主要以中低頻率為主，然在5G毫米波時代,，高頻段讓傳統(tǒng)PA的LDMOS略顯不足,，尤其在10GHz以上頻段，GaN具有明顯優(yōu)勢,。換言之,，GaN PA在5G發(fā)展趨勢下將成為超高頻通訊應(yīng)用首選。