三星15日在韓國宣布,，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）,、3bit的V-NAND閃存芯片,，是為第四代3D閃存。

　　其實(shí)在今年1月,，三星已經(jīng)向關(guān)鍵的大客戶出貨采用64層 V-NAND介質(zhì)的SSD產(chǎn)品,，如今半年過去，產(chǎn)能擴(kuò)充,，消費(fèi)級用戶可以順利用上了,。

　　新的閃存芯片將用于生產(chǎn)手機(jī)UFS存儲、PC/服務(wù)器固態(tài)盤,、外置存儲卡等產(chǎn)品,。

　　三星強(qiáng)調(diào)，新一代64層V-NAND的帶寬速率高達(dá)1Gbps,，是目前業(yè)界最快,，是上一代48層3bit的1.5倍。

　　另外,，在功耗方面,，電壓從3.3V降低到2.8V，說明工藝改良了不少,，漏電極大減少,，從而使效能提升30%。

　　競爭對手方面,，東芝的64層也已經(jīng)少量出貨,，SK海力士計劃在今年底量產(chǎn)更激進(jìn)的72層產(chǎn)品。不過,，三星強(qiáng)調(diào),，作為一哥和3D NAND的始創(chuàng)者，它們有信心繼續(xù)保持領(lǐng)先,，并在年底前將64層閃存的產(chǎn)能覆蓋到月度總量的50%以上,。

　　可以預(yù)見，以TB為單位的固態(tài)盤,、以及128GB以上的UFS3.0手機(jī)閃存或?qū)⒀杆倨占伴_來,。