意法半導(dǎo)體推出了采用先進的PowerFLATTM 5x6雙面散熱(DSC)封裝的MOSFET晶體管,，新產(chǎn)品可提高汽車系統(tǒng)電控單元(ECU)的功率密度,，已被為全球所有的汽車廠商提供先進技術(shù)的汽車零配件大廠電裝株式會社選用,。

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　　ST推出5x6mm雙面散熱微型封裝汽車級功率MOSFET管

　　STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶體管，可用于汽車電機控制,、電池極性接反保護和高性能功率開關(guān)。厚度0.8mm的PowerFLATTM 5x6 DSC封裝保留了標(biāo)準封裝的尺寸和高散熱效率的底部設(shè)計,，同時將頂部的源極曝露在外面,，以進一步提升散熱效率,，這樣設(shè)計讓內(nèi)部芯片有更高的額定輸出電流，提高功率密度,，讓設(shè)計人員能夠研發(fā)更小的電控單元,，而無需在功能、性能和可靠性之間做出取舍,。

　　新產(chǎn)品STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG的最大漏極電流120A,，最大導(dǎo)通電阻分別為1.5 m?和3.0 m?，保證高能效,，簡化系統(tǒng)熱管理,。此外，總柵電荷分別為172nC和91nC,，器件本身電容很低,，有助于在高速開關(guān)時提高能效。

　　這兩款40V MOSFET器件是意法半導(dǎo)體一個新產(chǎn)品家族的首批產(chǎn)品,，采用意法半導(dǎo)體的STripFET? F6技術(shù)和槽柵結(jié)構(gòu),，額定電流和電壓范圍寬廣，適用于汽車產(chǎn)品,。新MOSFET可以用于極其惡劣的工作環(huán)境,，包括最高175°C的發(fā)動機艙。這些產(chǎn)品100%經(jīng)過雪崩額定值測試,，其封裝的可潤濕側(cè)翼引線可實現(xiàn)最佳焊接效果,，100%支持自動光學(xué)檢查。

　　STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG通過AEC-Q101認證,，即日上市,。此外，該產(chǎn)品家族今年還將推出STripFET F7產(chǎn)品,。