中微半導體CEO,、在中國有“半導體國產設備教父”之譽的尹志堯19日表示,，中微將全力挺進2020年實現20億元銷售目標,，并力爭2050年達到50億元躋身國際前五大半導體設備供應商,。

與臺積電、聯電攜手合作

這也是中微半導體首次在公開場合宣示未來數十年的長遠營運目標,。尹志堯對DIGITIMES獨家采訪時表示,，兩岸集成電路行業(yè)各擁優(yōu)勢，若相結合可共創(chuàng)雙贏,，他也透露目前中微與臺灣地區(qū)臺積電,、聯電展開先進制程合作。

中微目前在臺積電已經順利進駐超過200臺反應機臺,，并與臺積電展開7納米工藝制程合作，未來將跨入下一世代5納米合作,；并且與聯電展開14納米工藝制程合作,。目前,，中微在臺灣地區(qū)設有組裝、測試的制造中心,。

中微營運今年突破性爆發(fā)

中微半導體企業(yè)文化一向低調,，但尹志堯19日首次公開其長期營運目標。尹志堯說,，過去幾年公司銷售維持30-35%增長率,，預期2017年今年將有突破性的增長將達80%年成長率，主要是在產品系列上有所突破增長,。

目前中微半導體在全球各地已經建置共計582的反應臺,，并預期今年將增長至770臺，年增長率約35%,。目前中微半導體產品已經進入第三代10納米,、7納米工藝，并進入晶圓廠驗證生產階段,，即將進入下一世代5納米,、甚至3.5納米工藝。

中微2017年銷售將達11億元人民幣,，在此基礎上,，未來十年將持續(xù)開發(fā)新產品，擴大市場占有率,，尹志堯透露,，中微目標2020年20億元、2050年50億元,，并進入國際五強半導體設備公司,。

他也很自豪的分享，目前包括許多國際大廠如意法半導體,、博世半導體在MEMS領域TSV硅刻蝕都也采用中微機臺,。

日前中微半導體在北京也創(chuàng)下一個世界紀錄，其機臺設備從導入到進入大生產階段僅需要42小時,，而之前美國企業(yè)的保持紀錄則是44.5小時,。

國產化設備仍有挑戰(zhàn)

尹志堯分析指出，中國國產設備具備發(fā)展?jié)摿εc實力,，除了美國,、日本以外，中國已經逐漸成為世界第三大半導體設備供應商,，其中中國目前已經有34家裝備業(yè)者,，主要集中在北京、上海與沈陽等地,。他預期,，未來在刻蝕機領域國產率將達50%,；MOCVD領域未來將達70%國產率。

他也點出,，盡管目前很多國產機臺業(yè)者,，但能夠批量生產進入市場的卻相當有限。主要原因是業(yè)者雖然能夠完成樣機,，但是光樣機也只完成半導體生產要求很少的一個部分,，從生產樣機要到生產線上能可靠、好用又具成本優(yōu)勢,，這是一個大挑戰(zhàn),。

與科林打贏了8年官司

中微半導體作為國內半導體裝備自主研發(fā) “旗手”，近日也傳出好消息,。歷時8年,，與美國最大半導體設備供應科林研發(fā)股份公司（Lam Research）之間歷時長達8年的專利官司，中微控告侵犯商業(yè)秘密案一審判決中贏得勝利,。

中微于2010年12月向上海市第一中級人民法院提起訴訟,，主張科林研發(fā)侵犯中微的商業(yè)秘密。中微主張,，科林研發(fā)非法獲取中微機密的技術文件和機密的反應腔內部照片,。并掌握了科林研發(fā)安排其技術專家在證據保全時不恰當地察看和測量中微刻蝕機的內部結構，然后使用獲取的信息于2009年向臺灣地區(qū)智慧財產法院起訴中微專利侵權,，試圖影響中微產品進入臺灣地區(qū)市場,，但最終科林研發(fā)敗訴。

而上海法院的判決也命令科林研發(fā)銷毀其非法持有的照片,，禁止科林研發(fā)和其員工披露,、使用或允許他人使用中微的技術秘密，并要求科林研發(fā)賠償中微法律費用90萬元人民幣,。

尹志堯說,，IP是半導體設備中最關鍵的部分，中微極尊重客戶和競爭對手的知識產權,，以及包括被視為皇冠上的鉆石的商業(yè)資產 -- 商業(yè)秘密,。但也期待中微的商業(yè)秘密也能獲得同樣的尊重。中微堅決不能容忍來自于任何競爭對手的侵權或其它不正當的商業(yè)競爭行為,。