據(jù)韓國媒體報道，三星電子為了鞏固存儲器霸業(yè),，制定了宏偉的DRAM發(fā)展藍(lán)圖，不過業(yè)界預(yù)估,，15納米工藝可能是DRAM制程微縮的極限，與此同時三星還將感受到來自中國業(yè)者的壓力,。

　　三星DRAM遇到天花板,？15nm工藝或是那道坎

　　三星去年開始量產(chǎn)18納米DRAM，目前正研發(fā)17納米DRAM,，預(yù)定今年底完成開發(fā),、明年量產(chǎn)。與此同時,，三星也成立16納米DRAM開發(fā)小組,，目標(biāo)最快2020年量產(chǎn)。相關(guān)人士透露,，微縮難度高,，2020年量產(chǎn)時間可能延后。

　　三星從20納米制程,，轉(zhuǎn)進(jìn)10納米制程,，縮小線寬（Line－width）的速度明顯放緩。對此,，三星設(shè)備解決方案部門的半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室人員Jung Eun－seung說,，為了繼續(xù)縮小線寬，必須開發(fā)與當(dāng)前不同的新材質(zhì),，并提高制程穩(wěn)定性,，以便進(jìn)入量產(chǎn)。因?yàn)橛?5nm開始,，電流外泄和電容器干擾和情況將更為明顯,，需要開發(fā)新的材質(zhì),。

　　業(yè)界人士估計(jì)，15納米或許是制程微縮的極限,，未來三星可能難以透過制程微縮拉大與對手差距,，并擔(dān)憂中國業(yè)者急起直追，趕上三星,。