新型功率器件、封裝或材料都是為了提高電源能效和功率密度,。安森美半導(dǎo)體非常注重新技術(shù)的開發(fā)與新材料器件的應(yīng)用,，能同時提供氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC) 寬帶隙(WBG)器件，目前SiC二極管已經(jīng)量產(chǎn)并且廣泛應(yīng)用于工業(yè),、太陽能逆變器等領(lǐng)域,，SiC MOS 和新一代的GaN MOS 也在開發(fā)中，不久就會發(fā)布,。

太陽能/光伏的應(yīng)用市場會繼續(xù)穩(wěn)步成長,，特別是在中國。在技術(shù)上,，逆變器會朝向更高的能效、允許更寬的電池板輸入電壓,、更小的體積,、更高的可靠性方向去發(fā)展。所以,，更高頻化的應(yīng)用,、新材料如碳化硅(SiC)的應(yīng)用、更多的功能,、集成化多電平的模塊應(yīng)用等方面可能是未來逆變器設(shè)計的一些主要方向,。

安森美半導(dǎo)體中國解決方案工程中心(SEC)高級經(jīng)理 陳立烽

安森美提供高能效和更小漏電流解決方案

安森美半導(dǎo)體一直致力于在新能源這一領(lǐng)域，同時非常注重新技術(shù)的開發(fā)與新材料器件的應(yīng)用,。在光伏逆變器上,，我們推出了我們第三代的超級結(jié)MOS管，相比前一代產(chǎn)品,，新一代的MOS管利用電荷平衡技術(shù),，大幅減少了導(dǎo)通電阻RDS(on)與門極電荷Qg，可使系統(tǒng)的能效顯著提高,，并承受極端dv/dt 額定值,。如N溝道MOSFET FCH023N65S3_F155和FCH040N65S3_F155,，100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試，RDS(on)典型值分別為19.5 mΩ,、35.4 mΩ,，Qg典型值分別為222 nc、136 nc,。在IGBT方面,，Trench溝道的第四代的場截止(Field-stop) IGBT大幅減小了關(guān)斷損耗，從而可以使IGBT在更高的頻率下工作來滿足更高的功率密度的要求,。如FGH50T65SQD_F155和FGH75T65SQD_F155,，具備高電流能力、高輸入阻抗,、快速開關(guān)和緊密的參數(shù)分布等特性,。另外，SiC二極管也是安森美半導(dǎo)體在光伏應(yīng)用中的一個拳頭產(chǎn)品,，目前已經(jīng)量產(chǎn),。相比于竟?fàn)帉κ值姆桨福覀冇懈叩哪苄Ш透〉穆╇娏鳌?/p>

安森美半導(dǎo)體不光在分立器件上有業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)品,，我們也結(jié)合我們在功率模塊上的先進技術(shù),，推出了我們的太陽能功率集成模塊 (PIM)。集成化的模塊包括了IGBT及整流器,，采用安森美半導(dǎo)體的專有溝槽場截止技術(shù)(FS)及強固的超快快速恢復(fù)二極管,，配置為中點鉗位式T型拓撲結(jié)構(gòu)，能效可超過98%,?？膳渲玫姆庋b平臺采用大功率直接鍵合銅(DBC)基板技術(shù)及專有的壓合(press-fit)引腳，可以提供更高的功率密度,、更高的性能與更高的可靠性,。

不同的應(yīng)用可能對系統(tǒng)或者對產(chǎn)品的關(guān)注也會不一樣，像電機控制領(lǐng)域,，所需要的產(chǎn)品就需要具備高集成度,、高可靠性的特點。更細分一下,，像無人機上的電調(diào)控制板,，除了上述所說的對電機驅(qū)動的要求以外，還要求有更小的體積,。

安森美半導(dǎo)體可以提供從幾瓦到幾十千瓦的電機控制的方案,， 這些方案中包括我們的一些智能功率模塊(IPM)、集成式的半橋功率驅(qū)動臂、集成的三相預(yù)驅(qū)動器,，還有全系列的功率MOS和IGBT. 同時,，我們也提供一些集成算法控制的“控制+功率”的整體方案。