半導(dǎo)體市況好熱鬧，就在臺積電透露5nm將在2019年試產(chǎn)之際，聯(lián)電23日也宣布,，自主研發(fā)的14nm鰭式場效晶體管（FinFET）制程技術(shù),，已成功進(jìn)入客戶芯片量產(chǎn)階段，良率已達(dá)先進(jìn)制程的業(yè)界競爭水平,，此制程將幫助客戶開拓嶄新的應(yīng)用于電子產(chǎn)品。

聯(lián)電CEO顏博文表示，這次達(dá)成14nm量產(chǎn)的里程碑,，象征聯(lián)電成功攜手客戶，將先進(jìn)技術(shù)導(dǎo)入市場,，同時(shí)與其他客戶的合作也在順利進(jìn)行中,，將持續(xù)優(yōu)化此制程，充分發(fā)揮14納米FinFET在效能,、功耗和閘密度所具備的優(yōu)勢,，以驅(qū)動(dòng)次世代硅芯片于網(wǎng)絡(luò)、人工智能和各類消費(fèi)產(chǎn)品等各領(lǐng)域的應(yīng)用,。

聯(lián)電14納米 FinFET制程效能競爭力已達(dá)業(yè)界領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn),，速度較28nm增快55％，閘密度則達(dá)兩倍,，此外,，功耗亦較28nm減少約50％。 此14nm客戶芯片現(xiàn)正于聯(lián)華電子臺南的Fab 12A晶圓廠生產(chǎn)中,，未來將因應(yīng)客戶需求,，穩(wěn)步擴(kuò)充其14nm產(chǎn)能。

聯(lián)電宣布自主研發(fā)的14nm鰭式場效晶體管（FinFET）制程技術(shù),， 也宣告聯(lián)電已決定將廈門聯(lián)芯的晶圓制程推進(jìn)到28nm量產(chǎn),，搶食在大陸制造最大一塊的手機(jī)和網(wǎng)通芯片代工商機(jī)。

顏博文強(qiáng)調(diào),，14納米FinFET制程效能競爭力已達(dá)業(yè)界標(biāo)準(zhǔn),，速度比28 nm增快55%，閘密度達(dá)兩倍,，而且芯片功耗也較28nm減少約50%,。

因聯(lián)電28nm制程良率相當(dāng)穩(wěn)定，也是目前市場中端手機(jī)芯片和高端網(wǎng)絡(luò)芯片需求最迫切的制程，預(yù)料聯(lián)電將會把重心集中沖刺聯(lián)芯將制程推升至28nm,，挾大陸制造,，擠下強(qiáng)敵中芯，在28nm拉升市占,，讓聯(lián)電搶食大陸快速崛起的芯片大餅,，打通任督二脈。

聯(lián)電目前與和艦共持有聯(lián)芯50%股權(quán),，聯(lián)芯去年11月開幕,，導(dǎo)入聯(lián)電的55nm及40nm制程技術(shù)生產(chǎn)。