《電子技術(shù)應(yīng)用》
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國內(nèi)廠商發(fā)力存儲芯片 行業(yè)發(fā)展將迎來拐點(diǎn)

2017-02-24
關(guān)鍵詞: NAND Flash 存儲器 芯片

近期,,長江存儲和中科院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND Flash存儲器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展,,向產(chǎn)業(yè)化道路邁出關(guān)鍵一步。業(yè)內(nèi)人士表示,,國內(nèi)廠商積極開展存儲芯片相關(guān)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化工作,并取得了階段性進(jìn)展,。政策支持之下,,隨著技術(shù)等逐漸成熟,行業(yè)發(fā)展將迎來拐點(diǎn),。在此背景下,,上市公司紛紛發(fā)力拓展存儲芯片業(yè)務(wù)。

基本依賴進(jìn)口

存儲芯片作為集成電路的三大品類之一,目前廣泛應(yīng)用于內(nèi)存,、消費(fèi)電子,、智能終端和固態(tài)存儲硬盤等領(lǐng)域,其銷售額占整個芯片產(chǎn)業(yè)的比重超過25%,,反映了一個國家或地區(qū)的半導(dǎo)體發(fā)展水平,。

賽迪顧問數(shù)據(jù)顯示,2014年中國存儲芯片市場規(guī)模達(dá)到2465.5億元,,占國內(nèi)集成電路市場份額的23.7%,。但存儲芯片基本依靠進(jìn)口,每年進(jìn)口存儲芯片的金額高達(dá)600億美元,。無論是NAND Flash還是DRAM,,國產(chǎn)存儲芯片市場比例較小。

賽迪智庫集成電路研究所所長霍雨濤表示,,國內(nèi)存儲芯片已經(jīng)取得了一些進(jìn)展,,但總體看仍處于起步階段。無論是DRAM還是NAND Flash等領(lǐng)域,,核心技術(shù),、專利等仍主要掌握在三星、東芝,、SK海力士,、美光、SanDisk,、Intel等海外廠商手中,。

霍雨濤認(rèn)為,國產(chǎn)存儲芯片要想取得更大的進(jìn)展,,需要合理規(guī)劃和統(tǒng)籌布局,,做好長期持續(xù)大投入的準(zhǔn)備;要聚焦核心技術(shù)和人才,,立足自主研發(fā),,完善產(chǎn)業(yè)生態(tài);要抓住計(jì)算和存儲產(chǎn)業(yè)深度融合帶來的機(jī)遇,。

上市公司發(fā)力

面對國產(chǎn)存儲芯片的現(xiàn)狀,,不少公司開始發(fā)力。

以兆易創(chuàng)新為例,,公司擬以發(fā)行股份及支付現(xiàn)金的方式收購北京矽成100%股權(quán),。北京矽成100%股權(quán)的交易價(jià)格暫定為65億元。公司表示,,上市公司與標(biāo)的公司均主要從事集成電路存儲芯片及其衍生產(chǎn)品的研發(fā),、技術(shù)支持和銷售,,交易完成后可以形成良好的規(guī)模效應(yīng)。本次交易將為上市公司引進(jìn)存儲芯片研發(fā)設(shè)計(jì)領(lǐng)域的優(yōu)秀研發(fā)人員以及國際化管理團(tuán)隊(duì),,為上市公司國際化縱深發(fā)展注入動力,。

長江存儲和中科院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND Flash存儲器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展,32層3D NAND Flash芯片順利通過電學(xué)特性等各項(xiàng)指標(biāo)測試,,達(dá)到預(yù)期要求,實(shí)現(xiàn)了工藝器件和電路設(shè)計(jì)的整套技術(shù)驗(yàn)證,,向產(chǎn)業(yè)化道路邁出關(guān)鍵一步,。

紫光集團(tuán)宣布投資約2063億元在南京建設(shè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地,一期建成后,,將是中國規(guī)模最大的芯片制造工廠,,月產(chǎn)量將達(dá)10萬片。

據(jù)悉,,紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地已于近日開工建設(shè),,主要產(chǎn)品為3D NAND Flash、DRAM存儲芯片等,,占地面積約1500畝,。項(xiàng)目一期投資約687.67億元。

霍雨濤表示,,國產(chǎn)存儲芯片發(fā)展面臨巨大的機(jī)遇與挑戰(zhàn),。國內(nèi)廠商積極開展存儲芯片相關(guān)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化工作,并取得了階段性進(jìn)展,。隨著資金,、政策、人員等各種條件的成熟,,行業(yè)發(fā)展拐點(diǎn)已經(jīng)來臨,。


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