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未來五年存儲器成長力道強勁

2017-01-11
關(guān)鍵詞: 存儲器 半導(dǎo)體 DRAM NAND

IC Insights最新報告預(yù)測,,DRAMNAND快閃存儲器等,,未來五年年均復(fù)合增長率(CAGR)可達7.3%,,產(chǎn)值將從去年的773億美元擴增至1,099億美元,。

報告將半導(dǎo)體區(qū)分成邏輯、存儲器,,模擬與微組件(microcomponents)IC等四種類型,,在五年的預(yù)測區(qū)間內(nèi),以存儲器成長力道最為強勁,,模擬IC以5.2%次之,,微組件為4.4%,至于邏輯IC則僅有2.9%,。

IC Insights指出智能手機等移動設(shè)備對低功耗存儲器需求激增,,是驅(qū)動DRAM與NAND快閃存儲器成長的主要動能。除此之外,,使用NAND快閃存儲器的固態(tài)硬盤(SSD)在數(shù)據(jù)中心,、筆記本電腦的應(yīng)用也日趨吃重。

三星上周五公布2016年第四季財報,,在Note 7自燃召回的狀況下,,營益竟然還能逆勢跳增近80%,就是因為受惠于存儲器價格大漲,,將利潤空間拉大,。


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