集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）最新研究顯示,，由于DRAM供貨吃緊至今未有改善的跡象,，因此延續(xù)2016下半年的價格漲勢，2017年第一季DRAM平均銷售單價呈大幅上漲格局,，DDR3 4GB模組的合約價最高已超過25美元，季漲幅超過三成,，為DRAM史上首個在傳統(tǒng)淡季下仍能維持強勢漲價的季度,。

DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，根據(jù)現(xiàn)已成交的合約看來,，2017年第一季標準型內(nèi)存價格持續(xù)攀高,，平均漲幅接近三成，服務器內(nèi)存的漲幅略同,，R－DIMM 32GB模組已超過200美元大關,，漲幅同樣超過兩成。

行動式內(nèi)存也因智能手機在中國新年鋪貨的需求帶動下,，不論是單顆顆粒（discrete product）或eMCP解決方案,，價格都同樣攀高，季漲幅估將超過一成,。

行動式與服務器內(nèi)存需求持續(xù)強勁,，供貨吃緊將可能持續(xù)整年

2016年起，由于中國品牌崛起帶動智能手機需求旺盛,，DRAM原廠陸續(xù)調(diào)降標準型內(nèi)存產(chǎn)出,，轉(zhuǎn)作行動式內(nèi)存。在供貨減少下,，DDR3 4GB均價一路攀升至今,，連帶讓服務器內(nèi)存價格也呈現(xiàn)大漲，甚至行動式內(nèi)存在2017年第一季也有近15％的季漲幅,，此外,，圖形處理用內(nèi)存與利基型內(nèi)存也都雨露均沾，季漲幅至少超過一成,。

展望2017年,，各DRAM原廠資本支出較為保守，皆不傾向過分擴張產(chǎn)能,，并以獲利導向為主要經(jīng)營策略,。

DRAMeXchange預估，2017年DRAM產(chǎn)業(yè)的供給端位元年成長率僅19％,，遠低于往年至少二成甚至超過三成的年成長率,，在2017年DRAM需求端年成長超過22％情況下，供不應求的嚴峻程度可見一斑,。

從市場面觀察,，由于2017年旗艦手機內(nèi)存搭載量將上看8GB，加上中端手機多邁向搭載4GB規(guī)格,，因此行動式內(nèi)存依然是DRAM產(chǎn)業(yè)需求成長最為強勁的類別,，整體而言,，2017年智能手機內(nèi)存容量年成長將超過30％，超越一般筆電使用的內(nèi)存規(guī)格,。

此外,，因各式云服務興起，服務器用內(nèi)存需求也顯著成長,。DRAMeXchange預估，2017年服務器的平均內(nèi)存容量將達130GB以上,，其中,，中國市場的強勁需求力道高于世界水平，亦驅(qū)使DRAM廠在2017年的產(chǎn)能分配下,，皆計劃將產(chǎn)能轉(zhuǎn)往行動式內(nèi)存與服務器內(nèi)存,，持續(xù)使部分的DRAM產(chǎn)品供貨吃緊甚至發(fā)生缺貨情形。

現(xiàn)階段DRAM廠多采取制程轉(zhuǎn)進的方式滿足客戶需求,，而不傾向增加產(chǎn)能,，因此，2017年供貨短缺的情況極有可能持續(xù)一整年度,，有助于DRAM產(chǎn)業(yè)維持豐厚獲利,。