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正式開工 長江存儲帶頭中國存儲產(chǎn)業(yè)啟航

2016-12-31

今日,由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金,、湖北省地方基金,、湖北省科投共同投資240億美元建設(shè)的國家存儲器基地項目正式動工,預(yù)計 2018年建成投產(chǎn),,2020年完成整個項目,,初期計劃以先進的3D NAND為策略產(chǎn)品。

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據(jù)悉,,此次動工建設(shè)的存儲器基地位于武漢東湖高新區(qū)的武漢未來科技城,,規(guī)劃建設(shè)3座3D NAND 生產(chǎn)工廠,,1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套設(shè)施,總占地面積1968畝,,預(yù)計到2020年可形成月產(chǎn)能30萬片的規(guī)模,,年產(chǎn)值將超過100億美元,到2030年可提升到每月100萬片的產(chǎn)能,。作為項目承載地的武漢東湖高新區(qū),,正在努力打造世界級的集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心。

從市場角度分析,,中國擁有龐大的消費群體,,個人、企業(yè),、國家數(shù)據(jù)存儲需求都在不斷攀升,,還有華為、聯(lián)想,、浪潮等服務(wù)器制造商,,以及百度、騰訊,、阿里巴巴等互聯(lián)網(wǎng)巨頭,,同時中國物聯(lián)網(wǎng)市場規(guī)模也正在以年增率30%的速度成長。

然而,,中國在數(shù)據(jù)存儲所需要的重要芯片上缺乏關(guān)鍵技術(shù),,幾乎90%以上都要依賴國外進口。紫光集團聯(lián)合武漢新芯建設(shè)規(guī)模龐大的國家存儲器基地,,生產(chǎn)先進的3D NAND,,將可填補中國在存儲器芯片領(lǐng)域的空白。

另外,,紫光還與西部數(shù)據(jù)成立紫光西部數(shù)據(jù)有限公司,,借助西部數(shù)據(jù)收購SanDisk在NAND Flash上的資源,以及西部數(shù)據(jù)在企業(yè)級市場上的優(yōu)勢,,為中國本土客戶提供更好的大數(shù)據(jù)存儲解決方案及服務(wù),。

在國家大力發(fā)展的集成電路產(chǎn)業(yè)的契機下,紫光集團正在集合國家政策,、資金實力以及上下游企業(yè)資源,,在芯片制造、IC設(shè)計,、封裝測試,、硬件設(shè)施等方面建立一條完整的產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)系統(tǒng),將助力中國實現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和經(jīng)濟的跨越發(fā)展,。


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