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高通宣布:10nm驍龍835來(lái)了!

2016-12-29
關(guān)鍵詞: 高通 10nm 驍龍835

高通剛剛在官方推特預(yù)告,將在CES 2017上對(duì)驍龍835進(jìn)行宣講,CEO莫倫科夫的Keynote定于1月6日早9點(diǎn)(北京時(shí)間1月7日凌晨1點(diǎn))在賭城的威尼斯人酒店舉行。

結(jié)合高通官推之前的信息,本次Keynote重點(diǎn)很可能不會(huì)涉及核心的架構(gòu)、主頻等,著力點(diǎn)也許會(huì)在VR表現(xiàn)、10nm、X16基帶、QC4.0等。

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按照目前高通給出的資料,驍龍835性能比驍龍820/821提升了27%,猜測(cè)主頻高達(dá)2.8GHz~3GHz。

不少爆料人指出,驍龍835將采用8核設(shè)計(jì),目前小米6、LG G6、三星Galaxy S8都有望成為首波機(jī)型。


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