臺(tái)積電正在先進(jìn)半導(dǎo)體工藝路上狂奔,，目前主打16nm，正在開始量產(chǎn)10nm,，兩三年之內(nèi)將陸續(xù)上馬7nm,、5nm，不過據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,，臺(tái)積電還規(guī)劃了一個(gè)12nm工藝,。

　　據(jù)透露，臺(tái)積電所謂的12nm,，其實(shí)是現(xiàn)有16nm工藝的第四代縮微改良版本,，改用全新名字，目的是反擊三星,、GlobalFoundries,、中芯國際等對(duì)手的14nm工藝優(yōu)勢(shì)，牢牢控制10-28nm之間的代工市場(chǎng)。

　　28nm時(shí)代開始,，臺(tái)積電就不斷改版來降低成本或提升性能,，以求壓制競(jìng)爭對(duì)手，比如說28nm工藝就先后有28LP,、28HP,、28HPL、28HPM,、28HPC,、28HPC+等眾多版本。

　　如今的16nm經(jīng)過持續(xù)改良之后,，漏電率大為降低,，成本也有極大改善，為此臺(tái)積電將其重新命名為12nm,，搖身一變成為獨(dú)立的新工藝,，自然更加誘人。

　　代工工藝進(jìn)入FinFET時(shí)代以來,，臺(tái)積電16nm,、三星14nm可謂棋逢對(duì)手，其實(shí)都非常優(yōu)秀,，但無論是技術(shù)還是數(shù)字,，臺(tái)積電都略微落后一些，因此在16nm發(fā)展到第四代,，線寬微縮能力領(lǐng)先三星之后,，12nm的出爐也就可以理解了。

　　值得注意的是,，大陸半導(dǎo)體廠商在完成28nm布局后,，下一個(gè)目標(biāo)將是卡位14nm，中芯國際預(yù)計(jì)2020年前量產(chǎn)14nm,，華力微電子也規(guī)劃投產(chǎn),。

　　另外，臺(tái)積電7nm將同時(shí)推出兩個(gè)不同版本,，分別針對(duì)移動(dòng)設(shè)備,、高性能計(jì)算，滿足不同用戶需求,。