臺積電7納米晶圓制程進度飛快,，繼先前傳出要在2018年第1季放量生產(chǎn)7納米芯片、比英特爾(Intel Corp.)足足快三年之后,，最新消息顯示,，臺積電內(nèi)部預(yù)估，7納米最快明(2017)年4月就可開始接受客戶下單,。

　 　25日報道,，臺積電研發(fā)單位已在內(nèi)部會議中，揭露未來幾年的最新研發(fā)藍圖,，根據(jù)幾名資深高層的說法,，該公司今年底就會轉(zhuǎn)換至10納米，7納米則會在明年 試產(chǎn),、估計明年4月就可接單,，而16納米FinFET compact制程(FFC，比16FF+更精密)也將在今年導(dǎo)入,。7納米制程可大幅提升省電效能(時脈約3.8Ghz,、核心電壓(vcore)達 1V)，臨界電壓(threshold voltage)最低可達0.4V,，適用溫度約為150度,。

　　報道稱，跟16FF+相較,，10納 米FinFET制程可讓芯片尺寸縮小50%,、運算效能拉高50%、耗電量降低40%,。相較之下,，7納米(采的應(yīng)該是FinFET制程)的運算效能只能拉高 15%、耗電量降低35%,，電晶體密度增加163%,，改善幅度遠不如10納米。這是因為,，臺積電的10納米FinFET制程大約等同英特爾的14納米,，7 納米制程則大致跟英特爾的10納米相當,、甚至較遜。

　　超微(AMD)早已暗示會從16納米制程直接跳至7納米,，但晶圓代工合作伙伴格羅方 德(GlobalFoundries)的7納米卻要等到2018年才會試產(chǎn),，比臺積電晚了近一年之久。超微早已修改了協(xié)議,，合作伙伴不再僅限于格羅方德,， 假如臺積電的制程遠優(yōu)，那么超微完全有可能倒戈投向臺積電的懷抱,。

　　Fudzilla甫于9月9日報道,，臺積電高層在本周的SEMICON Taiwan國際半導(dǎo)體展表示，7納米制程有望在2018年Q1放量生產(chǎn),。臺積電從2014年初開始投入7納米制程研究,，預(yù)定2017年上半進入風(fēng)險生產(chǎn)(Risk Production)，再過一年后量產(chǎn),，搭載7納米芯片的消費產(chǎn)品應(yīng)可同時上市,。

　　臺積電在SEMICON展前記者會表示，該公司的7納米芯片效能應(yīng)會優(yōu)于同業(yè),，相信未來四年成長將來自智能機,、高性能計算(HPC)、物聯(lián)網(wǎng),、汽車產(chǎn)業(yè),。四月份臺積電表示，有20名顧客對7納米制程感興趣,，預(yù)料明年有15位客戶會設(shè)計定案(tape-out),。

　　外媒從英特爾的征才啟示抽絲剝繭，發(fā)現(xiàn)似乎暗示7納米量產(chǎn)時間延至2021年,，追不上臺積電的2018年,，慢到連車尾燈都看不到。

　　The Motley Fool先前報道,，英特爾在印度班加羅爾尋找處理器設(shè)計工程師,，原本內(nèi)容寫明，負責研發(fā)預(yù)定2020年問世的處理器核心和圖形卡,，使用英特爾前瞻的7納米制程,。不過近來英特爾修改征人告示，時間從2020年改為2022年,。