開關電源產(chǎn)品日趨要求小型,、輕量、高效率,、低輻射,、低成本等特點,，增大開關電源產(chǎn)品的功率密度，可以通過提高其工作頻率來實現(xiàn),，但高頻化產(chǎn)品會產(chǎn)生一系列工程問題,，從而限制了開關頻率的提升。

　　開關電源產(chǎn)品在市場的應用主導下,，日趨要求小型,、輕量、高效率,、低輻射,、低成本等特點滿足各種電子終端設備，為了滿足現(xiàn)在電子終端設備的便攜式,，必須使開關電源體積小,、重量輕的特點,，因此，提高開關電源的工作頻率,，成為設計者越來越關注的問題,，然而制約開關電源頻率提升的因素是什么呢？

　　一,、開關頻率的提高,，功率器件的損耗增大

　　1、開關管限制開關頻率的因素有哪些,？

　　a,、開關速度

　　MOS管的損耗由開關損耗和驅動損耗組成，如圖1所示：開通延遲時間td(on),、上升時間tr,、關斷延遲時間td(off)、下降時間tf,。

　　圖1

　　以FAIRCHILD公司的MOS為例,，如表1所示：FDD8880開關時間特性表。

　　表1

　　對于這個MOS管,，它的極限開關頻率為：fs= 1/(td(on)+ tr+ td(off)+ tf) Hz=1/(8ns+91ns+38ns+32ns) =5.9MHz,，在實際設計中，由于控制開關占空比實現(xiàn)調壓,，所以開關管的導通與截止不可能瞬間完成,，即開關的實際極限開關頻率遠小于5.9MHz，所以開關管本身的開關速度限制了開關頻率提高,。

　　b,、開關損耗

　　開關導通時對應的波形圖如圖2(A)，開關截止時對應的波形圖如圖2(B),，可以看到開關管每次導通,、截止時開關管VDS電壓和流過開關管的電流ID存在交疊的時間(圖中黃色陰影位置)，從而造成損耗P1,，那么在開關頻率fs工作狀態(tài)下總損耗PS= P1 *fs,，即開關頻率提高時，開關導通與截止的次數(shù)越多,，損耗也越大,。

　　圖2

　　總結：開關速度、開關損耗是限制開關頻率的兩個因素,。

　　1,、變壓器的鐵損限制了頻率的提高

　　變壓器的鐵損主要由變壓器渦流損耗產(chǎn)生，如圖3所示，給線圈加載高頻電流時,，在導體內和導體外產(chǎn)生了變化的磁場垂直于電流方向(圖中1→2→3和4→5→6),。根據(jù)電磁感應定律，變化的磁場會在導體內部產(chǎn)生感應電動勢,，此電動勢在導體內整個長度方向(L面和N面)產(chǎn)生渦流(a→b→c→a和d→e→f→d),，則主電流和渦流在導體表面加強，電流趨于表面,，那么,，導線的有效交流截面積減少，導致導體交流電阻(渦流損耗系數(shù))增大,，損耗加大,。

　　圖3

　　如圖4所示，變壓器鐵損是和開關頻率的kf次方成正比,，又與磁性溫度的限制有關,，所以隨著開關頻率的提高，高頻電流在線圈中流通產(chǎn)生嚴重的高頻效應,，從而降低了變壓器的轉換效率,，導致變壓器溫升高，從而限制開關頻率提高,。

　　圖4

　　二,、開關頻率的提高，EMI設計,、PCB布局難度增大

　　假設上述的功率器件損耗解決了,，真正做到高頻還需要解決一系列工程問題,，因為在高頻下,，電感已經(jīng)不是我們熟悉的電感，電容也不是我們已知的電容了,，所有的寄生參數(shù)都會產(chǎn)生相應的寄生效應,，嚴重影響電源的性能，如變壓器原副邊的寄生電容,、變壓器漏感,，PCB布線間的寄生電感和寄生電容，會造成一系列電壓電流波形振蕩和EMI問題,，同時對開關管的電壓應力也是一個考驗,。

　　要提高開關電源產(chǎn)品的功率密度，首先考慮的是提高其開關頻率,，能有效減小變壓器,、濾波電感、電容的體積，但面臨的是由開關頻率引起的損耗,，而導致溫升散熱設計難,，頻率的提高也會導致驅動、EMI等一系列工程問題,。