對半導體制造商和設備供應商來說,，智慧手機和PC市場飽和,，無法帶動業(yè)績成長,，以往生產功能更強晶片的傳統(tǒng)做法,，預料也難扭轉頹勢，如今業(yè)界采用新技術,，像是全耗盡型絕緣上覆矽（FD-SOI）和3D NAND,。

　　華爾街日報報導，半導體業(yè)面臨的業(yè)績壓力已經引發(fā)整并風潮,，最新數據也指出,，今年全球半導體設備廠商營收恐怕僅成長1%至369.4億美元，而晶片營收可能下滑2.4%,，利空就是智慧手機的成長趨緩,，PC市場也正在萎縮。半導體業(yè)都在問：下一個成長機會在哪里,？

　　如今有許多業(yè)者陸續(xù)采用新材料與新生產技術來因應市場變化,，這些業(yè)者看好連網裝置需求，但物聯(lián)網的晶片需求不一樣,，要求晶片成本控制在1美元以下,，并且可運行數年,，不需換電池。

　　格羅方德（GlobalFoundries）與競爭對手三星電子已經采用稱為FD-SOI的技術,，這項技術在耗電與成本上具有優(yōu)勢,，仰賴法國廠商Soitec特別量身訂制的半導體晶圓。

　　Soitec執(zhí)行長布德爾說,，日本科技大廠Sony近來設計的智慧手機GPS晶片便使用FD-SOI技術,，結果晶片耗電量只有原本晶片的十分之一，讓用戶可以更頻繁使用衛(wèi)星定位技術,，不必擔心會吃掉手機太多電力,。

　　有些業(yè)者也開始在不生產更小電晶體的情況下，進一步挖掘晶片的潛能,，NAND快閃記憶體廠商已經以3D NAND的方式,，透過堆疊多層電路來提升效能。這項技術需要采購許多生產設備,，因此令許多廠商受惠,，應用材料（Applied Materials）便是其中之一。

　　閱讀祕書／FD-SOI

　　全耗盡型絕緣上覆矽（Fully Depleted Silicon-on-Insular,，F(xiàn)D-SOI）是鰭式場效電晶體（FinFET）與三閘極電晶體架構（Tri-Gate）的互補技術，被視為是可望在物聯(lián)網與汽車市場取代FinFET的理想替代方案,，其特色為功耗低,、性能和成本效益較佳。目前支持FD-SOI的晶圓代工廠包括格羅方德以及三星電子,。