一般來講,，尋求更大生活空間的居民會放棄在市區(qū)附近生活。盡管住在市區(qū)上班方便,，并能享受城市服務,，但他們更愿意搬到郊區(qū),，因為那里房子更大,，院子更寬敞,。同樣，當工程師需要大電流用于負載點(POL)設計時,，他們一般會放棄高密度轉(zhuǎn)換器（帶集成MOSFET）的便利,，取而代之使用一個更復雜的涉及控制器（帶外部MOSFET）解決方案?？刂破鳎c郊區(qū)環(huán)境相類似,，具有相對的靈活性和經(jīng)濟性,，但會占據(jù)更多不動產(chǎn)，更多的電路板空間,。  

　　直到最近,，電流超過10-15A的應用一般會依賴帶外部MOSFET的控制器。設計簡易,，布局簡單,，物料清單(BOM)中部件更少的轉(zhuǎn)換器解決方案雖然具有高可靠性高密度，但通常只能提供有限的電量,。

　　諸如網(wǎng)絡路由器,、開關(guān)、企業(yè)服務器和嵌入式工業(yè)系統(tǒng)等應用的耗電量越來越高,，它們的POL設計需要20A,、30A,、40A甚至更多電量。然而,，這些應用對空間要求極為嚴格,，很難兼容采用控制器和外部MOSFET的解決方案。問題在于,，在一個需要大電流的應用中,，您如何使用轉(zhuǎn)換器而非控制器呢？

　　答案很大程度上在于最近在MOSFET和封裝技術(shù)方面取得的進展,。在一個特定硅面積內(nèi),，新一代MOSFET（諸如德州儀器的NexFET? 電源MOSFET）具有較低的電阻率（Rdson），還可提高電流能力,。PowerStack?封裝技術(shù)可堆疊集成電路和MOSFET,，多層疊加，類似于市區(qū)建筑,，可在特定的空間內(nèi)放入更多東西,。

　　圖1：控制器集成電路和MOSFET垂直堆疊在PowerStack封裝中

　　PowerStack封裝中芯片堆疊和封裝黏著的獨特組合與其它傳統(tǒng)并列安放 MOSFET 的解決方案相比，可實現(xiàn)尺寸更小,、熱力性能更佳,、電流能力更強、集成度更高的四方扁平無引線封裝解決方案,。

　　隨著MOSFET和封裝技術(shù)的最新發(fā)展,，德州儀器現(xiàn)在可提供集成FET轉(zhuǎn)換器的產(chǎn)品，用于高功率,、高密度POL應用,。TPS548D22屬于德州儀器高電流同步SWIFT? DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器系列，可提供高達40A的連續(xù)電流,，并采用40管腳,、5mm×7mm×1.5mm stack-clipped的QFN PowerStack封裝。訪問DC/DC端口可了解更多德州儀器產(chǎn)品,。那些不得不搬到郊區(qū)的人現(xiàn)在可考慮搬回市區(qū)了,！