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  • 供量超過810億GB當(dāng)量,，較2014年成長(zhǎng)20%
  • 產(chǎn)量1ynm TLC規(guī)?；慨a(chǎn)，產(chǎn)量增加30%
  • 成本每片Wafer的Flash Die成本下滑20%
  • 價(jià)格市場(chǎng)供過于求,，閃存產(chǎn)品價(jià)格跌幅達(dá)35%
  • 轉(zhuǎn)折2016,，48層TLC 256Gb 3D NAND續(xù)寫摩爾定律
2015年NAND Flash市場(chǎng)供應(yīng)量810億GB當(dāng)量
     2015年NAND Flash的主要成長(zhǎng)動(dòng)力主要來源于市場(chǎng)對(duì)eMMC和SSD更大容量的需求,，而這一需求,，推動(dòng)了Flash原廠三星、東芝/閃迪,、美光,、SK海力士等利用先進(jìn)1ynm工藝加快導(dǎo)入TLC。在原廠技術(shù)和產(chǎn)能的驅(qū)動(dòng)下,，2015年NAND Flash市場(chǎng)供應(yīng)量超過810億GB當(dāng)量,，較2014年成長(zhǎng)20%,；消費(fèi)類每GB當(dāng)量NAND Flash銷售價(jià)格已下探至0.12美金,，跌幅超過40%,。而且，這一供過于求的狀況還將持續(xù)到2016年上半年,，預(yù)計(jì)下半年市況將有好轉(zhuǎn),。

eMMC將從高端智能型手機(jī)開始向UFS 2.0過渡

2015年主要eMMC供應(yīng)商市占份額

隨著Flash原廠TLC技術(shù)不斷成熟，且eMMC控制芯片提高ECC的糾錯(cuò)能力,，增強(qiáng)TLC耐用性,，TLC eMMC性能已基本能達(dá)到MLC eMMC水平，且容量和成本更能滿足智能型手機(jī)對(duì)64GB和128GB的需求,。

eMMC 5.0,、eMMC5.1、UFS2.0性能表現(xiàn)對(duì)比

產(chǎn)品實(shí)際應(yīng)用中,，與eMMC5.0相比,，UFS2.0連續(xù)讀寫速度可提高一倍多，4KB隨機(jī)讀寫速度更是提高2倍,，如果基于3D NAND的UFS 2.0,，將有更出色的速度表現(xiàn)，可更大幅度的提升智能型手機(jī)性能,。

消費(fèi)類SSD發(fā)展趨勢(shì)：TLC和PCIe接口

消費(fèi)類SSD：MLC,、TLC市占率
     SSD需求正在快速增長(zhǎng)，其中消費(fèi)類市場(chǎng)客戶對(duì)價(jià)格較為敏感,，產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)也容易陷入價(jià)格戰(zhàn),，TLC SSD更低的成本可大幅提升市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，因此各廠商爭(zhēng)相推出TLC SSD搶奪市場(chǎng),。究其根源,，一方面，原廠積極導(dǎo)入1ynm TLC工藝擴(kuò)大128Gb規(guī)?；慨a(chǎn),，且3D技術(shù)從48層開始均采用TLC架構(gòu)。另一方面,，控制芯片廠采用糾錯(cuò)能力更高的LDPC技術(shù)提高TLC耐用度,，延長(zhǎng)了TLC SSD使用壽命。
客戶端SSD接口發(fā)展趨勢(shì)
     消費(fèi)類SSD市場(chǎng),，SATAIII接口基本已實(shí)現(xiàn)了市場(chǎng)的普及,，隨著產(chǎn)品的發(fā)展，SSD接口將由SATAIII向PCIe過渡以實(shí)現(xiàn)速度的提升,。隨著PCIe接口規(guī)范的發(fā)展,，PCIe Gen3 x1最高傳輸速度達(dá)到1GB/s,，是SATAIII接口速度的2倍， PCIe Gen3 x4擴(kuò)展速度更是達(dá)到最高4GB/s,，這也是推動(dòng)SSD接口向PCIe發(fā)展的最大推動(dòng)力,。
2015年SSD消費(fèi)類市場(chǎng)主要廠商市占份額

2015年SSD在服務(wù)器市場(chǎng)應(yīng)用進(jìn)一步提升，未來大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求推動(dòng)下,，將超過PC市場(chǎng)成為SSD最大應(yīng)用市場(chǎng),。

  • 2020年，全球數(shù)據(jù)量將超過40ZB

  • 2020年,，約70%-80%的數(shù)據(jù)將存儲(chǔ)在云端

  • 中國(guó)的大數(shù)據(jù)建設(shè)給服務(wù)器提出新的要求

  • 3D NAND和3D XPoint技術(shù)大幅提升I/O性能

  • SSD不會(huì)完全取代DRAM和HDD

  • DRAM,、SSD、HDD將互補(bǔ)并存于服務(wù)器市場(chǎng)

  • SSD在行業(yè)市場(chǎng)的需求從小容量向大容量轉(zhuǎn)移

日期大事件備注
1月美光與力成投資2.5億美元建封裝廠美光西安重要封測(cè)據(jù)點(diǎn)
3月臺(tái)聯(lián)電投資62億美元在廈門新建一座12英寸晶圓廠臺(tái)灣晶圓廠
4月慧榮收購(gòu)上海寶存信息科技有限公司達(dá)成戰(zhàn)略聯(lián)盟
9月紫光38億美元獲西部數(shù)據(jù)15%股份西部數(shù)據(jù)收購(gòu)閃迪
10月紫光投資6億美元取得力成25%股份力成是存儲(chǔ)器封裝企業(yè)
11月Marvell與江波龍達(dá)成策略聯(lián)盟發(fā)布SSD產(chǎn)品
11月同方國(guó)芯擬投94億美元（600億元RMB）建存儲(chǔ)廠提高芯片生產(chǎn)力
11月英特爾擬35億美元改大連廠為存儲(chǔ)芯片廠大連廠生產(chǎn)3D xPoint可能性很大
11月紫光出資8058萬美元與西部數(shù)據(jù)設(shè)立紫光西部數(shù)據(jù)在NAND Flash業(yè)務(wù)上深度合作