傳統(tǒng)上,，當半導體材料越薄,，其缺陷對于電子、光電元件的效能就有越嚴重的影響，一直是難以突破的困境,。臺灣大學跨國團隊研發(fā)出獨步全球的零缺陷半導體材料,，透過“修復缺陷”簡單方法，讓單層二維半導體材料能達到零缺陷等級,，可提升LED發(fā)光效能100倍,。上月研究刊登在“科學”《Science》期刊。

　　二維半導體材 料具有特殊的電子傳導,、光學,、機械特性，可整合于現(xiàn)今半導體元件制程,，被學界認為有很大潛力取代傳統(tǒng)矽材原料,，其中中二硫化鉬(MoS2)是最熱門的半導體二維材料之一，但以目前合成制備技術,，二維材料的缺陷密度還是太高,，成為應用瓶頸，如何減少,、控制缺陷是所有半導體材料需克服的問題,。

　 　臺大跨國研究團隊透過將二維材料浸潤于一種稱為亞胺(bistriflimide)的有機超強酸中，可大幅提高二維材料的量子效率,，從不到1%增加到接 近100%,，單層薄膜能達到完美的“零缺陷”，大幅提高發(fā)光效率,。技術可望用于開發(fā)透明LED顯示器,、超高效太陽能電池、高靈敏度光偵測器,、低功耗的奈米 級電晶體等,。 臺大表示，這項研究的跨國研究團隊由加州大學柏克萊分校教授Ali Javey,、阿卜杜拉國王科技大學(KAUST)教授何志浩(前臺大電機系教授),、前臺大校長李嗣涔等共同組成。研究的共同第一作者連德軒,，今年剛完成博士口試,，本學期將畢業(yè)，現(xiàn)已在加州柏克萊大學執(zhí)行科技部第二年的龍門計畫,，畢業(yè)后則將繼續(xù)在加州大學柏克萊分校繼續(xù)擔任博士后研究員。