《電子技術(shù)應(yīng)用》
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半導(dǎo)體進(jìn)入微縮時(shí)代 成本依舊是決定性關(guān)鍵

2015-11-23

  目前半導(dǎo)體市場(chǎng)上出現(xiàn)FET3D-IC等技術(shù)不勝枚舉,,加上業(yè)界不斷研究取得成果,,包括晶圓廠與封測(cè)廠等都開始積極鎖定可能的主流技術(shù),,以便提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),。業(yè)界也認(rèn)為最終主流技術(shù)為何,,其能否降低成本依舊是決定性關(guān)鍵,。

  據(jù)報(bào)導(dǎo),,微縮成本不斷增加為全球供應(yīng)鏈注入一股不確定性,。資源不虞匱乏的大廠,,預(yù)期會(huì)持續(xù)進(jìn)展至少到7納米,。

  之后是否往以更細(xì)微制程邁進(jìn),則須視EUV,、多重電子束(Multi-e-beam)等微影技術(shù)與定向自組裝技術(shù)(Directedself-assembly),、量子效應(yīng)、新材料與新電晶體架構(gòu)發(fā)展而定,。

  目前傾向持續(xù)推進(jìn)微縮市場(chǎng)的廠商認(rèn)為,,應(yīng)不會(huì)有10納米出現(xiàn),而且由于市場(chǎng)大多擔(dān)心芯片廠預(yù)備新節(jié)點(diǎn)耗時(shí)過久,,因此略過例如20納米等半節(jié)點(diǎn),,該情形甚至也會(huì)出現(xiàn)在10納米。

  Arteris執(zhí)行長(zhǎng)CharlieJanac表示,,10納米進(jìn)展過快,,導(dǎo)致廠商擔(dān)心無法回收成本,而且市場(chǎng)對(duì)5納米也持觀望態(tài)度,,因?yàn)槠渫顿Y成本將相當(dāng)可觀,。因此,7納米會(huì)維持一段時(shí)間,,包括GlobalFoundries副總SubramaniKengeri也認(rèn)為,,下一世代為7納米并會(huì)持續(xù)一段時(shí)間。

  為服務(wù)器,、GPU,、手機(jī)與現(xiàn)場(chǎng)可程式化閘陣列(FPGA)設(shè)計(jì)芯片的廠商,過往都會(huì)積極推廣最先進(jìn)制程,,但其余芯片廠則不再跟隨,,反而偏好采用包括平面式完全空乏型絕緣層覆矽(PlanarFD-SOI)、2.5D與扇出型(fan-out)及3D整合等技術(shù),。

  eSilicon副總MikeGianfagna指出,,屆時(shí)技術(shù)將出現(xiàn)重疊,雖然2.5D出現(xiàn)讓技術(shù)選項(xiàng)增多,,但其良率仍是不確定性因素,。

  目前讓業(yè)者愿意投入研發(fā)的新動(dòng)機(jī)也未成形,,手機(jī)雖會(huì)繼續(xù)帶動(dòng)系統(tǒng)單芯片(SoC)市場(chǎng)成長(zhǎng),但其成長(zhǎng)率已放緩,,一旦市場(chǎng)成熟,,將讓產(chǎn)品出現(xiàn)定價(jià)壓力。益華電腦(Cadence)行銷主管指出,,成本還是最主要考量,,而且業(yè)界已開始思考從降低電子產(chǎn)品成本著手,特別是降低芯片成本,。

  傳統(tǒng)上,,每一代新制程問世后,市場(chǎng)都必須能出現(xiàn)大量采用才能讓晶圓廠繼續(xù)投資新制程,,但28納米后,,由于各家制程皆不同,代表工具,、IP與設(shè)備都需客制化,。一旦進(jìn)入16/14納米后,不確定性因素還包括EUV與電子束微影是否問世等,,因此更讓廠商不愿投資在半制程上,。

  另一方面,隨著技術(shù)選項(xiàng)增多,,廠商也不再一味朝新制程邁進(jìn),。例如三星電子(SamsungElectronics)、意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics),、法國電子資訊技術(shù)實(shí)驗(yàn)室CEA-Leti與GlobalFoundries都支持FD-SOI技術(shù),。

  評(píng)論認(rèn)為,F(xiàn)D-SOI在16/14納米以后是否仍具競(jìng)爭(zhēng)力仍有疑問,,因?yàn)閷脮r(shí)微影技術(shù)為何是關(guān)鍵,,至于GlobalFoundries則傾向10納米平面FD-SOI,希望省略雙重曝光及FinFET需要,。

  但eSilicon則持保守態(tài)度,,指出FD-SOI出貨量多寡與藍(lán)圖FD-SOI尚未明朗,即使市場(chǎng)有許多選項(xiàng)是好事,,但目前FD-SOI并未取代FinFET,。不過,市場(chǎng)也有其他避險(xiǎn)策略,,例如采用2.5D與扇出型(fan-out),,其中臺(tái)積電推出InFo已穩(wěn)定獲得采用,。

  另外,,海思(Hisilicon),、日月光與邁威爾(Marvell)已開發(fā)商用實(shí)作2.5D芯片,華為,、IBM與超微(AMD)則負(fù)責(zé)銷售,。因此,Arteris認(rèn)為,,市場(chǎng)最終將走向3D,,讓封裝廠地位更為重要。

  即便如此,,業(yè)者認(rèn)為一旦問題獲得解決后,,成本會(huì)開始下降,GlobalFoundries便認(rèn)為,,2.5D可應(yīng)用市場(chǎng)有3種,,包括將大晶粒細(xì)分為小部位來提高良率、設(shè)法將封裝內(nèi)芯片或模組功能最大化以及將芯片細(xì)分成為獨(dú)立部位并由中介層連接,,目前邁威爾,、日月光與Tezzaron則采用第二種技術(shù)。

  評(píng)論指出,,不管是環(huán)繞式閘極FET,、納米線場(chǎng)效電晶體、2.5D,、full3D-IC,、積層型三維積體電路(Monolithic3D-IC)或扇出等不同技術(shù),主要晶圓廠都已預(yù)備好準(zhǔn)備采用,,包括三星與GlobalFoundries采用FD-SOI,,封測(cè)廠則瞄準(zhǔn)最先進(jìn)封測(cè)技術(shù)。

  隨著廠商不斷研究精進(jìn),,屆時(shí)市場(chǎng)自然會(huì)出現(xiàn)新一代技術(shù),,業(yè)者認(rèn)為何者能降低成本,是決定能否勝出的關(guān)鍵因素,。


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