迄今為止,，半導體材料大致可以分為三代,。第一代半導體是硅，主要解決數(shù)據(jù)運算、存儲的問題,；第二代半導體以砷化鎵為代表，被應用于光通信,，主要解決數(shù)據(jù)傳輸?shù)膯栴},；第三代半導體以氮化鎵為代表，它在電和光的轉(zhuǎn)化方面性能突出,，在微波信號傳輸方面的效率更高,，所以可以被廣泛應用到照明、顯示,、通訊等各大領(lǐng)域,。

GaN主要市場和應用領(lǐng)域

    但是現(xiàn)實中，自然形成氮化鎵的條件極為苛刻,，在自然界幾乎不可能實現(xiàn),，而人造氮化鎵的成本非常高。不僅如此,，無論是氮化鎵晶片生產(chǎn),，還是以氮化鎵為襯底的芯片器件，都需要精密的納米加工工藝,，技術(shù)門檻極高,。這些都成為氮化鎵大規(guī)模應用的制約因素。

    然而日前,，MACOM卻宣布,，其第四代氮化鎵產(chǎn)品，將以非常好的成本優(yōu)勢,，在多個應用領(lǐng)域替代LDMOS,、砷化鎵和以碳化硅為襯底的氮化鎵產(chǎn)品，使得氮化鎵產(chǎn)品大規(guī)模商業(yè)應用成為可能,。

    MACOM公司射頻和微波業(yè)務高級副總裁兼總經(jīng)理Greg Baker興奮地向我們介紹到：“我們的第四代氮化鎵產(chǎn)品基于硅襯底,，效率要比LDMOS高10%，功率密度是LDMOS的4倍,，預期成本結(jié)構(gòu)也低于LDMOS,，同時利用MACOM的高功率塑料封裝技術(shù)，成功地促進了氮化鎵產(chǎn)品從高深的,、政府資助型技術(shù)到批量生產(chǎn)的商業(yè)技術(shù)的轉(zhuǎn)變,?！?/p>

MACOM 創(chuàng)新正引領(lǐng)GaN商業(yè)應用

    據(jù)預測，射頻微波市場容量大概是100億美金,，MACOM新的氮化鎵產(chǎn)品所針對的射頻微波大功率器件市場,，其容量規(guī)模超過30億美金。目前,，這部分市場中的主流應用是LDMOS和砷化鎵產(chǎn)品,。與之相比，MACOM的第四代基于硅襯底的氮化鎵產(chǎn)品,，可以說是綜合考慮性能與成本之后的極佳選擇,。首先，在高頻應用中,，氮化鎵功率放大器具有壓倒性的優(yōu)勢,；同時，氮化鎵功放能夠處理大的信號帶寬,，就5G移動通信等應用來說,，氮化鎵都有比較大的優(yōu)勢。

第4代 GaN-Si（100W 效率70%）

    正是因為如此,，MACOM的第四代產(chǎn)品才吸引了安捷倫,、羅德與施瓦茨等測試儀器儀表領(lǐng)域的廠商，華為,、諾基亞,、西門子等著名的無線通訊設備商，以及西門子等醫(yī)療儀器領(lǐng)域的關(guān)鍵客戶的關(guān)注,。

    然而,，基于硅襯底的氮化鎵產(chǎn)品的出現(xiàn)，并不意味著MACOM放棄了傳統(tǒng)的基于碳化硅的氮化鎵產(chǎn)品,。在某些應用場合,，例如氣象雷達、高速公路測速雷達或者是其他雷達等,，對效率、帶寬等性能要求較高,，且對成本不敏感的應用中,，依然是傳統(tǒng)的基于碳化硅的氮化鎵產(chǎn)品的市場。MACOM將繼續(xù)為這類客戶提供越來越多新的產(chǎn)品,。

    “研發(fā)基于硅襯底的氮化鎵技術(shù),，主要是為將來5G移動通信的發(fā)展一些新能源行業(yè)所需要的大功率器件做準備。雖然短時間內(nèi),，微波射頻領(lǐng)域發(fā)展得會比較平緩,，但MACOM還是會持續(xù)地在高功率氮化鎵技術(shù)上有所投入,。我們相信當移動通信發(fā)展到4.5G、5G時,，氮化鎵的產(chǎn)品與技術(shù)必然會取代現(xiàn)有的LDMOS及其他大功率技術(shù),。” MACOM南亞太區(qū)銷售副總裁熊華良強調(diào)到,。

    除微波射頻外,，光通信也是MACOM快速增長的業(yè)務領(lǐng)域。尤其是“寬帶中國”戰(zhàn)略下,，GPON,、EPON取得飛速發(fā)展。MACOM的產(chǎn)品正好吻合了這個應用,，所以2015年MACOM在這一市場進步神速,。其次，最近這兩年中國的運營商已經(jīng)開始大規(guī)模安裝100G干線網(wǎng)絡,，而在100G的干線網(wǎng)絡上,，MACOM也有全線產(chǎn)品支持和服務中國客戶。最后,高速數(shù)據(jù)的發(fā)展導致全球?qū)τ跀?shù)據(jù)中心的建設都非常熱,。在這一應用上,，MACOM也提供全線的產(chǎn)品支持。

MACOM在南亞地區(qū)的業(yè)務