臺積電登陸計(jì)劃確定落腳南京,，并通知設(shè)備廠將直接切入最強(qiáng)悍且具競爭力的16納米制程,，讓對手毫無招架之力,，首座12寸廠并預(yù)定2018年正式啟用,。

　　臺積電到目前為止對大陸?yīng)氋Y設(shè)立12寸廠案,，多以大陸生產(chǎn)成本仍高于臺灣,，模糊登陸行動,。

　　但半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者表示,，臺積電多方評估后,，確定落腳南京，已由南京市政府展開整地工程,，臺積電預(yù)定最快年底或明年初進(jìn)行建廠作業(yè),，2018年完工，并以目前承接蘋果高階處理器的16納米主力制程,，直接在當(dāng)?shù)亟訂紊a(chǎn),，為主力客戶高通、聯(lián)發(fā)科,、海思,、展訊等就近提供服務(wù)。

　　據(jù)了解,，臺積電一開始選定三處,，包括英特爾大連廠、武漢及南京,，進(jìn)行12寸晶圓廠設(shè)廠地點(diǎn),，因大連英特爾舊廠是8寸廠，得打掉重建12寸,，不符經(jīng)濟(jì)效益,，臺積電放棄，最后在南京市政府提供優(yōu)惠的投資獎勵(lì)下,，決定落腳南京,。

　　稍早南京浦口經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)不小心在圍籬上寫上“臺積電建廠用地”，讓臺積電12寸晶圓廠投資案曝光,，南京市政府雖立刻撤下標(biāo)示,，但也配合臺積電的投資行動,，展開整地工程。

　　半導(dǎo)體設(shè)備廠表示,，臺積電放棄的大連廠,，將由英特爾直接重新規(guī)劃與展訊興建全新的12寸廠，并切入生產(chǎn)儲存型快閃記憶體(NAND Flash),，可能是紫光集團(tuán)主導(dǎo)的首座12寸晶圓廠投資案,，開啟進(jìn)軍記憶體的行動。

　　至于臺積電落腳南京,，則選定直接切入今年下半年量產(chǎn)的16納米FinFET+(鰭式場效電晶體強(qiáng)化版),，這項(xiàng)制程也是目前臺積電為蘋果生產(chǎn)A9處理器完封三星14納米的利器，將成為大陸技術(shù)最先進(jìn)的邏輯芯片代工廠,。

　　半導(dǎo)體設(shè)備廠表示,，臺積電設(shè)定時(shí)程是2017年底完成開始試產(chǎn)，2018年正式接單量產(chǎn),，以臺積電2018年在臺可能推進(jìn)到7納米量產(chǎn),，臺積電 直接切入16 納米在大陸接單量產(chǎn)，仍符合投審會規(guī)范,，不過臺積電這項(xiàng)制程布局，將大幅領(lǐng)先大陸設(shè)廠的中芯,、聯(lián)芯等,，預(yù)料將掀起極大的震撼。

　　臺灣半導(dǎo)體業(yè)者在大陸12寸晶圓廠布局 圖/經(jīng)濟(jì)日報(bào)提供