《電子技術(shù)應用》
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納米線可望打造未來的LED,?

2015-06-30

  根據(jù)丹麥哥本哈根大學(University of Copenhagen)玻爾研究所(Niels Bohr Institute,;NBI)的研究證實,,采用奈米線制成的LED只需使用更少的能源,就能提供更明亮的光源,。

  研究人員深入研究了利用X射線顯微術(shù)的奈米線,,透過這種方法,研究人員們能夠確定如何設(shè)計奈米線使其得以提供最佳性能,。這項研究結(jié)果發(fā)表在《ACS Nano》科學期刊,。

  奈米線大小約僅2微米高(μm;1μm是1/1000毫米),,直徑約10-500奈米(nm,,1nm約1/1000μm)。專為LED用的奈米線是由內(nèi)部的氮化鎵(GaN)核心以及外層氮化鎵銦(InGaN)所組成,,二者都是半導體材料,。

  這種二極體的光源有賴于存在兩種材料之間的機械應變,而這種應變則大幅取決于兩種材料層之間如何彼此接觸,。丹麥哥本哈根大學教授兼玻爾研究所所長Robert Feidenhansl解釋,,我們研究了多種采用X射線顯微術(shù)的奈米線,甚至是原則上相同的奈米線,,我們可以看到其間的差異及其相當不同的結(jié)構(gòu),。

  相關(guān)的研究是在位于德國漢堡的“德國電子同步加速器研究所”(DESY)電子同步加速器中利用奈米級X射線顯微術(shù)進行。雖然這種方法相當耗時,,而且結(jié)果通常十分有限或甚至僅能滿足單一研究主題,。然而,利用奈米級X射線的特殊設(shè)計,,可使奈米線在過程中不至于被破壞,,從而使研究人員得以順利地同時測量一系列的奈米線。

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  每個奈米線的X射線影像顯示散射強度的分布,,以及在氮化鎵核心與氮化鎵銦外層的機械應變,。根據(jù)這種應變顯示外層與核心完美契合。

  “我們測量了20種奈米線,,而當我們看到影像時都非常訝異,,因為你可以清楚地看到每一種奈米線的細節(jié),包括核心與外層這兩種結(jié)構(gòu),。如果結(jié)構(gòu)中有任何缺陷或略微彎曲,,就無法正常運作。所以,,我們可以準確地找出哪些是最優(yōu)質(zhì)的奈米線,,而且具有最高效率的核心/外殼結(jié)構(gòu),”哥本哈根大學玻爾研究所“中子與X射線散射”研究小組的博士生Tomas Stankevic解釋,。

  Robert Feidenhans’l則表示,,奈米線將為LED帶來更自然的光源,,而且還將使用更低的功耗。此外,,它們還可以應用于智慧型手機,、電視機以及各種形式的照明中。

  研究人員預計,,這種奈米線LED照明可五年內(nèi)實現(xiàn)商用化,。


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