引言
電源電壓逐步下降,,晶體管的閾值電壓并沒有減小,但是運放的共模輸入范圍越來越小,,這使設計出符合低壓低功耗要求,,輸入動態(tài)幅度達到全擺幅的運放成為一種必須。本文所設計的具有軌至軌(R-R)輸入功能的低壓低功耗CMOS運算放大電路,,在各種共模輸入電平下有著幾乎恒定的跨導,,使頻率補償更容易實現(xiàn),適合應用于VLSI庫單元及其相關技術領域,。
理論模型
基本的軌至軌輸入結構
在較低的電源電壓下,,運算放大器的輸 入級設計是非常重要的。傳統(tǒng)的PMOS差動輸入級的共模輸入電壓范圍 VCM可表示為:
(1)
式中,,VSS為負電源電壓,, VCM為共
模輸入電壓,VDsat為源漏飽和壓降,,VGSP為PMOS的柵源電壓,。同理,NMOS差動輸入級的共模輸入電壓范圍可表示為:
(2)
式中,,VGSN為NMOS的柵源電壓。如果將PMOS和NMOS差分對互補連接使用,,就可以使運放的輸入共模范圍變?yōu)椋?/p>
(3)
從而實現(xiàn)了軌至軌的共模輸入,。圖1為軌至軌輸入結構的電路示意圖。
圖1 基本軌至軌輸入電路
圖2 低壓低功耗運算放大器電路
跨導恒定結構
圖1所示的軌至軌輸入級電路采用互補折疊式結構,,使共模輸入電壓可以在整個從地到電源電壓的范圍內(nèi)工作,,如果輸入級工作在飽和區(qū),電路的跨導由下面的公式確定:
或者
(4)
式中mn和mp分別代表NMOS和PMOS的遷移率,。從上面的公式可以看出,,輸入級的跨導會隨柵源電壓和便置電流的變化而變化。因此,,當共模輸入電平從VDD到VSS變 化時,,軌至軌輸入差分對的跨導從PMOS差分對的跨導變化到PMOS +NMOS差分對的跨導之和,再變化到NMOS差分對的跨導,。中間部分跨導gm幾乎是其它部分的一倍,,這種跨導的變化會使運放的增益誤差發(fā)生變化,從而使頻率特性變差,,因此,,需要設計一種電路,,使軌至軌輸入電路具有恒定的跨導。
目前,,可保證R-R輸入級的gm恒定不變的設計方法主要有以下幾種:1. 采用雙極(BJT)線性互補差分對形式的輸入級,。 2. 由齊納二極管將P、N差分對的偏置電流連起來實現(xiàn),。 3. 采用冗余的差分對來實現(xiàn),。4. 用電流鏡技術,使偏置電流的大小隨輸入共模電壓的變化而變化,。
上述第4種方法的電路不僅結構簡單,,而且對gm的控制也易于實現(xiàn)。因此,,本文運用了對輸入跨導的控制原理,,采用了一種 全新的保持R-R輸入級gm為常數(shù)的電路結構。
電路設計
本文所設計的電路如圖2所示,,該電路由輸入互補差分對,、恒定gm電路、共源共柵求和電路組成,。M1~M4構成了輸入互補差分對,。當?shù)凸材]斎霑r,P輸入差分對M1,、M4處于工作狀態(tài),,N輸入差分對M2、M3截止,,開關管M17 ,、M18開啟,抽取M16上的電流,;M13,、M14截止。M15的電流全部流入P差分對,,則此區(qū)間的等效差分跨導為:
(5)
當共模輸入電壓在中間值附近時,, P差分對M1、M4與N差分對M2,、M3均導通,,控制開關M17、M18,、M13,、M14開啟,分別調(diào)節(jié)它們的柵電壓,,使其從M15,、M16均抽取3/4的電流,,則此區(qū)間的等效差分跨導為:
(6)
當在高共模輸入?yún)^(qū)時,N差分對M2,、M3工作,,P差分對M1、M4截止,。開關管M13,、M14開啟,抽取M15上的電流,,開關管M17,、M18截止,M16的電流全部流入N差分對,,則此區(qū)間的等效差分跨導為:
(7)
從上面的分析可知,,只要合理選擇四個輸入管子的長寬比,滿足如下關系:
(8)
&nb
sp; gm就會保持恒定,。
M5~M12為共源共柵求和電路,。這種結構的輸出阻抗和電壓增益比較高,并且有很好的頻率特性和電源抑制比,。經(jīng)過分析可知,,該電路結構在互補差分對交替工作的時候,當M1,,M4與M2,、M3不能同時處于飽和狀態(tài)時,引起求和電路M5~M12的靜態(tài)電流發(fā)生變化,,使電路的輸出電阻和極點發(fā)生少許改變,,從而可能會在過渡區(qū)出現(xiàn)大跨導尖峰,但是,,由于這個過渡區(qū)很窄,估計這種大的尖峰不會出現(xiàn),,在整個共模范圍內(nèi),,輸入跨導基本保持恒定。
圖3 運放的跨導仿結果
仿真結果
本文采用TSMC公司的0.35mm工藝器件的HSpice參數(shù)模型進行仿真,,得到下面的結果,。圖3是運放的總跨導,從圖中可以看出,,當共模輸入電壓從0V到2V變化時,,整個跨導在5%以內(nèi)變化,跨導在中部的變化正如上面所述,,是由于 差動對交替工作時,,靜態(tài)電流的變化所引起的,。
結語
本文所設計的運算放大器具有2V的電源電壓,150mW的功耗和75°的相位裕度,,在整個共模范圍內(nèi),,輸入級的跨導基本保持恒定,提高了運放的性能指數(shù),。且結構簡單,,特別適合作為VLSI的庫單元