圖1中的斷路器僅需幾個廉價的元件，即可對過電流和過電壓故障狀態(tài)進行反應,。電路的核心是可調(diào)節(jié)的精密分路電壓調(diào)節(jié)器D2,，置在一只3引腳的封裝中，提供了電壓參考,、比較器和集電極開路輸出,。
過電壓保護" border="0" height="281" hspace="0" src="http://files.chinaaet.com/images/20100811/1ee917cc-79ee-4b3b-959c-8500979baa5d.jpg" width="365" />
圖2顯示了ZR431、D1的簡化圖,。參考輸入的電壓與標稱為2.5V的內(nèi)部電壓參考VREF進行比較。 在關閉狀態(tài),，當參考電壓為0V時,，輸出晶體管關閉，陰極電流小于0.1mA。當參考電壓接近VREF時,，陰極電流稍微增大,，參考電壓超過2.5V閥值時，裝置完全接通,，陰極電壓降到約2V,。在這種條件下，陰極和供電電壓間的阻抗確定了陰極電流,，其大小從50mA~100mA,。
在正常運行條件下，D2的輸出晶體管關閉,，P溝道MOSFET Q4的柵極通過R9,，使MOSFET全面增強，允許負載電流ILOAD從電源電壓-VS流經(jīng)R6進入負載中,。Q2與電流檢測電阻R6監(jiān)測ILOAD的幅度,，其中Q2的基射極電壓VBE為ILOAD×R6。對于正常值的ILOAD,，VBE小于使 Q2偏置的0.6V,，所以晶體管對R3和R4節(jié)點的電壓沒有影響。由于D2參考輸入的輸入電流小于1mA,，在R5上的電壓降可忽略,，參考電壓實際上等于R4
上的電壓。
如果當ILOAD超過其最大允許值時的過載情況下,，R6上電壓增加,，導致足夠的基射極電壓導通Q2。R4的電壓與參考電壓向VS靠近,，導致D2陰極電壓降到約2V,。D2的輸出晶體管現(xiàn)在吸收通過R7和R8的電流，將Q3偏置導通,。Q4的柵極電壓有效地箝位通過Q3的電源電壓,，然后MOSFET 關閉。同時,，Q3通過D1向R4提供電流,，從而將R4到二極管電壓降到低于電源電壓。因此,，由于Q2的基射極電壓現(xiàn)在為0V,，已經(jīng)關閉，沒有負載電流通過R6,。結果,，無負載電流通過R6, D2的輸出晶體管觸發(fā)閂鎖,，電路保持其斷路狀態(tài)，其中負載電流為0A,。當為R6選擇值時,，在最大允許的負載電流下，應確保Q2的基射極電壓小于約0.5V ,。
在對過電流條件作出反應時,，斷路器還可對異常大的電源電壓作出反應。當負載電流在其正常范圍內(nèi),，且Q2關閉時,，電源電壓的大小及在電源線間構成一個分壓器的R3和R4值，確定了參考輸入的電壓,。如果電源出現(xiàn)過電壓,，R4上的電壓超過2.5V 參考電平，D2的輸出晶體管開始導通,。Q3 再次導通,，MOSFET Q4關閉，負載有效地與危險的暫態(tài)電壓隔離,。
電路保持斷路狀態(tài)直到復位,。在這些條件下，Q3將Q4的柵源電壓箝位到0V左右,，從而保護了MOSFET 不受過大柵極源電壓的損壞,。不管R5上可忽略的電壓，可以看到參考電壓為VS×R4/(R3+R4),。當參考電壓超過2.5V時,，由于D2的輸出導通，可以重新設定公式R3=[(VST/2.5)-1]×R4 ,，以Ω 表示,，其中VST為所需的電源電壓斷路電平。例如,，如果R4 值為10kΩ,，18V的斷路電壓要求R3值為62 kΩ。在為R3和R4選擇值設定所需的斷路電壓時,，要確保它們足夠大,，以保證分壓器不會使電源過載。同樣,，盡量選擇避免由于參考輸入電流造成誤差的值,。
當初次對電路加電時，會發(fā)現(xiàn)電容,、燈絲,、電機及類似的負載都有較大的浪涌電流可使斷路器斷路,，盡管其正常穩(wěn)定的工作電流低于R6設定的斷路電平。解決此問題的一種方法是添加電容C2,，可減慢參考輸入的電壓變化速率。這種方法雖然簡單但有一個嚴重的缺點,，它會減慢電路對真正過電流故障條件的響應時間,。
元件C1、R1,、R2和Q1提供了另一種解決方案,。在加電時，C1初次放電使Q1導通,，從而將參考輸入箝位到0V,，電路斷路時產(chǎn)生浪涌電流。然后C1通過R1和R2進行充電直到Q1最終關閉,，解脫參考輸入的箝位,，可讓電路迅速對過電流響應。如C1,、R1和R2的值,，電路允許約400ms后浪涌電流消失。如選擇其它值允許電路的負載承受任意長時間的浪涌電流,。如果斷路器斷開,，可以循環(huán)電源或按復位開關S1，將其復位,。如果應用不需要浪涌保護,，可簡單省略C1、R1,、R2 和Q1,，將S1連接在參考輸入和0V之間即可。
在選擇元件時,，確保所有元件都要符合可能遇到的額定電壓和電流級別,。雙極晶體管沒有特殊需要，這些晶體管,，特別是Q2和Q3,，應該有較高的電流增益，Q4應該有較低的導通電阻,，Q4的最大漏源極和柵源極電壓必須符合電源電壓的最大值,。D1可以使用任何小信號二極管。如果可能遇到超大的瞬間電壓,，作為保護措施,，必須使用齊納二極管 D3和D4來保護D2,。
盡管此電路使用很多制造商都能提供的431器件，但對于D2,，并非所有的部分都以相同的方式工作,。例如，對Texas Instruments的TL431CLP和Zetex ZR431CL的測試顯示,，在參考電壓為0V時,，兩種器件的陰極電流為0A 。然而,，逐漸將參考電壓從2.2V增大到2.45V,，對于TL431CLP可以形成陰極電流在220mA~380mA的范圍內(nèi)變化，對于ZR431CL則從23mA變化到28mA,，兩種器件間存在約10倍差異,。在選擇R7和R8的值時，必須考慮這種陰極電流大小的差異,。
用于D2的器件類型及為R7和R8選擇的值也對響應時間有影響,。含有TL431CLP的測試電路，其中R7為1 kΩ,，R8為4.7 kΩ,，可在550 ns 內(nèi)對瞬態(tài)過電流進行響應。將TL431CLP替換為ZR431CL,，則響應時間變?yōu)?ms,。將R7和R8提高一個數(shù)量級，分別達到10kΩ和47kΩ,，可產(chǎn)生2.8ms的響應時間,。注意，如果TL431CLP 的陰極電流相對較大,，則相應需要較小的R7和R8值,。
要在18V設定過電壓斷路電平，R3和R4的值必須分別為62 kΩ和10kΩ,。測試電路會產(chǎn)生下列結果：對D2采用TL431CLP,，電路在17.94V時斷路，如對D2采用ZR431CL,，斷路電平為18.01V,。根據(jù)Q2的基射極電壓不同，過電流檢測機制比過電壓檢測的精度差一些,。然而,，以高端的電流檢測放大器來替換R6和Q2，可極大地提高過電流檢測精度,。該放大器可產(chǎn)生與負載電流成正比的地參考電流,。這些器件生產(chǎn)廠家有Linear Technology,、Maxim、Texas Instruments,、Zetex和其它一些公司,。
斷路器在汽車系統(tǒng)中很有用，既需要過電流檢測防止有故障的負載,、也需要過電壓保護避免敏感電路不受高能負載突降瞬態(tài)的影響,。除了通過R3和R4的小電流及D2的陰極電流外，在正常未斷路的狀態(tài)下,，電路不從電源吸收電流。