2010年8月4日,，德國紐必堡訊——英飛凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX： IFNNY）近日面向大電流應用的汽車推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）,。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件,，在10V柵源電壓條件下,，漏極電流為180A,，而通態(tài)電阻僅為0.9毫歐,。采用D2PAK-7封裝的IPB180N03S4L-H0,，可滿足客戶對標準封裝功率 MOSFET的需求：以最低成本獲得高額定電流和最低通態(tài)電阻,。
　
　　基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強大的第二代溝槽技術,，OptiMOS-T2器件成為大電流汽車電機驅動應用,、電動助力轉向（EPS）系統(tǒng)和汽車啟停系統(tǒng)的理想解決方案。
　
　　出于成本和效率原因,，整個行業(yè)都開始轉向溝槽設計,。OptiMOS-T2等功率MOSFET溝槽技術相對于以往的技術,，在通態(tài)電阻和柵電荷方面實現了大幅改進。這使得優(yōu)值系數（FoM=柵電荷x通態(tài)電阻）達到業(yè)界最低水平,。此外,，英飛凌創(chuàng)新的大電流“Powerbond”技術可解決MOSFET鍵合引線受限問題，降低鍵合引線通態(tài)電阻的降幅,，并增強電流功能,。通過使鍵合引線更涼能進一步提高可靠性。最新的Powerbond技術可確保一個MOSFET具備多達4條500微米鍵合引線,，使標準封裝器件具備180A的額定電流,。
　
　　OptiMOS-T2技術和結實耐用的封裝經過精心設計，能夠在MSL1 （1級潮濕度）條件下,，承受回流焊接過程中的260 °C高溫,，并且采用無鉛電鍍，以符合RoHS標準,。IPB180N03S4L-H0功率MOSFET完全符合汽車電子委員會（AEC-Q101）的規(guī)范要求,。英飛凌先進的溝槽技術具備低柵電荷、低電容,、低開關損耗和出色的優(yōu)值系數,，可使電機效率達到新高，同時最大限度降低EMC輻射,。此外,，優(yōu)化的柵電荷可確保更小的驅動輸出級。
　
　　IPB180N03S4L-H0可滿足需要許多并聯(lián)MOSFET的大電流應用（超過500A）的要求,。由于IPB180N03S4L-H0具備180A額定電流,，因此，可使大電流系統(tǒng)所需的并聯(lián)MOSFET減少一半,，從而優(yōu)化電流共享,、熱性能和成本。由于汽車電機逐步轉向脈寬調制（PWM）控制以提高效率,，因此,，OptiMOS-T2 30V器件還可提供電池反向連接保護功能。
　
　　英飛凌公司標準汽車功率產品營銷總監(jiān)Torsten Blanke博士指出：“英飛凌具備基于OptiMOS-T2溝槽技術的廣泛汽車MOSFET產品組合,。這些器件都采用結實耐用的封裝,，具備出類拔萃的性能和品質。通過推出具備180 A 額定電流的全新30V OptiMOS-T2器件,，英飛凌再次在最大電流（采用標準封裝）和最低通態(tài)電阻（采用溝槽技術）方面樹立了行業(yè)標桿,。”
　
供貨情況
　　具備180A漏極電流和僅0.9mΩ通態(tài)電阻的30V IPB180N03S4L-H0器件如今已實現批量生產。此外,，英飛凌還提供另一種型號的器件——30V/180A （IPB180N03S4L-01）,。該器件在10V柵源電壓條件下,，具備1.05毫歐的通態(tài)電阻，適用于十分注重成本的應用,。這兩款高功率MOSFET均采用標準的D2PAK-7封裝,。
　
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關于英飛凌
　　總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,，為現代社會的三大科技挑戰(zhàn)領域——高能效、連通性和安全性提供半導體和系統(tǒng)解決方案,。2009財年（截止到9月份）,，公司實現銷售額30.3億歐元，在全球擁有約25,650名雇員,。英飛凌科技公司的業(yè)務遍及全球,，在美國苗必達、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地擁有分支機構,。英飛凌公司目前在法蘭克福股票交易所（股票代碼：IFX）和美國柜臺交易市場（OTCQX）International Premier（股票代號：IFNNY）掛牌上市,。
　
英飛凌在中國
　　英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國市場。自1996年在無錫建立第一家企業(yè)以來,，英飛凌的業(yè)務取得非常迅速的增長,，在中國擁有1300多名員工，已經成為英飛凌亞太乃至全球業(yè)務發(fā)展的重要推動力,。英飛凌在中國建立了涵蓋研發(fā),、生產、銷售,、市場,、技術支持等在內的完整的產業(yè)鏈，并在銷售,、技術研發(fā),、人才培養(yǎng)等方面與國內領先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作,。