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IR 推出SOT-23功率MOSFET產品系列支持-30V至100V的電壓

2010-07-21
作者:IR

  全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,,簡稱IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列,。該器件采用業(yè)界標準SOT-23封裝,具有超低導通電阻 (RDS(on)) ,,適用于電池充電及放電開關,、系統(tǒng)和負載開關、輕載電機驅動,,以及電信設備等應用,。
 
  新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中壓硅技術,通過大幅降低90% RDS(on)顯著改善了電流處理能力,,為客戶的特定應用優(yōu)化了性能及價格,。
 
  IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“這個全新的SOT-23 MOSFET系列支持從 -30V至100V的寬電壓范圍,并提供不同水平的 RDS(on) 和柵極電荷 (Qg) ,,從而為追求緊湊,、高效率及低成本解決方案的客戶帶來更佳、更廣泛的設計選擇,。”
 
  新器件達到第一級潮濕敏感度 (MSL1) 業(yè)界標準,,所采用的材料不含鉛,并符合電子產品有害物質管制規(guī)定 (RoHS) ,。
 
產品規(guī)格

器件編號

BVDSS

25°C下的最Id

10V下的

典型/ 最大RDS(on)

(mΩ)

4.5V下的

典型/ 最大RDS(on)

(mΩ)

典型Qg

IRLML9301TRPBF

-30V

3.6 A

51 / 64

82 / 103

4.8 nC

IRLML9303TRPBF

-30V

2.3 A

135 / 165

220 / 270

2.0 nC

IRLML0030TRPBF

30V

5.2 A

22 / 27

33 / 40

2.6 nC

IRLML2030TRPBF

30V

2.7 A

80 / 100

123 / 154

1.0 nC

IRLML0040TRPBF

40V

3.6 A

44 / 56

62 / 78

2.6 nC

IRLML0060TRPBF

60V

2.7 A

78 / 92

98 / 116

2.5 nC

IRLML2060TRPBF

60V

1.2 A

356 / 460

475 / 620

0.4 nC

IRLML0100TRPBF

100V

1.6 A

178 / 220

190 / 235

2.5 nC

  新器件現正接受批量訂單,相關數據也已刊登于IR的網站 www.irf.com,。
 
IR簡介
 
  國際整流器公司 (簡稱 IR,,紐約證交所代號 IRF) 是全球功率半導體和管理方案領導廠商。IR 的模擬及混合信號集成電路,、先進電路器件,、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應用于驅動高性能計算設備及降低電機的能耗 (電機是全球最大耗能設備) ,,是眾多國際知名廠商開發(fā)下一代計算機、節(jié)能電器,、照明設備,、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng),、宇航及國防系統(tǒng)的電源管理基準,。
 
  IR 成立于 1947 年,總部設在美國洛杉磯,,在二十個國家設有辦事處,。IR 全球網站:www.irf.com,中國網站:www.irf.com.cn,。

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